Անցեք բովանդակությանը
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Լեզու
Բոլոր դաշտերը
Վերնագիր
Հեղինակ
Խորագիր
Դասիչ
ISBN/ISSN
Ցուցիչ
Գտեք
Ընդլայնված
Strain and defect microstructu...
Վկայակոչեք սա
Գրեք սա
Էլփոստով ուղարկեք սա
Տպել
Արտահանել գրառումը
Արտահանել դեպի RefWorks
Արտահանել դեպի EndNoteWeb
Արտահանել դեպի EndNote
Մշտական հղում
Strain and defect microstructure in ion-irradiated GeSi/Si strained layers as a function of annealing temperature
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:
Glasko, J
,
Elliman, R
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Gerald, F
Ձևաչափ:
Journal article
Հրապարակվել է:
1998
Պահումներ
Նկարագրություն
Նմանատիպ նյութեր
Աշխատակազմի տեսք
Նմանատիպ նյութեր
Ion irradiation of GeSi Si strained-layer heterostructures
: Glasko, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1999)
The effect of irradiation temperature on post-irradiation strain levels in GexSi1-x/Si strained layer heterostructures
: Glasko, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1996)
The effect of ion-implantation induced defects on strain relaxation in GexSi1-x/Si heterostructures
: Glasko, J, և այլն
Հրապարակվել է: (1997)
GeSi strained layers and their applications /
: Stoneham, A. M., և այլն
Հրապարակվել է: (1995)
Ge and GeSi electroabsorption modulator arrays via strain and composition engineering
: Ma, Danhao.
Հրապարակվել է: (2021)