GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS

Show other versions (1)

Selected results from a TEM study of copper precipitation at extended surface defects in silicon are reported. The relative getting effectiveness of surface pits, oxidation induced stacking faults, and their bounding partials is compared. Copper-silicide precipitate colonies on {111} planes are obse...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Decoteau, M, Wilshaw, P, Falster, R
פורמט:	Journal article
שפה:	English
יצא לאור:	Publ by Inst of Physics Publ Ltd 1991

פריטים דומים

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
מאת: Decoteau, M, et al.
יצא לאור: (1991)

GETTERING OF COPPER AND IRON TO EXTENDED SURFACE-DEFECTS IN SILICON
מאת: Decoteau, M, et al.
יצא לאור: (1992)

PRECIPITATION OF IRON IN SILICON - GETTERING TO EXTENDED SURFACE DEFECT SITES
מאת: Decoteau, M, et al.
יצא לאור: (1991)

GETTERING OF COPPER TO OXIDATION INDUCED STACKING-FAULTS IN SILICON
מאת: Decoteau, M, et al.
יצא לאור: (1990)

GETTERING IN SILICON
מאת: Falster, R
יצא לאור: (1989)

Cathodoluminescence assessment of low temperature gettering in silicon and a novel technique for estimating bulk minority carrier lifetime in silicon
מאת: Fraser, K, et al.
יצא לאור: (2008)

Efficient, room-temperature, near-band gap luminescence by gettering in ion implanted silicon
מאת: Stowe, D, et al.
יצא לאור: (2005)

Getters in silicon
מאת: Vyacheslav A. Kharchenko
יצא לאור: (2019-03-01)

Oxygen precipitate studies in silicon for gettering in solar cell applications
מאת: Salomon, Ashley
יצא לאור: (2018)

ELECTRON-BEAM-INDUCED ACTIVITY OF DEFECTS IN SILICON
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1994)

Gettering defects in semiconductors /
מאת: 386064 Perevostchikov V. A., et al.
יצא לאור: (2005)

Atom probe Tomography of fast-diffusing impurities and the effect of gettering in multicrystalline silicon
מאת: Tweddle, D, et al.
יצא לאור: (2018)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
מאת: Jurkschat, K, et al.
יצא לאור: (2001)

High-Performance and Traditional Multicrystalline Silicon: Comparing Gettering Responses and Lifetime-Limiting Defects
מאת: Ekstrom, Kai E., et al.
יצא לאור: (2018)

Exceptional gettering response of epitaxially grown kerfless silicon
מאת: Markevich, V. P., et al.
יצא לאור: (2018)

EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
מאת: Fell, T, et al.
יצא לאור: (1993)

Detecting and gettering chromium impurities in photovoltaic crystalline silicon
מאת: Jensen, Mallory Ann
יצא לאור: (2015)

Saw damage gettering for industrially relevant mc‐Si feedstock
מאת: Shaw, E, et al.
יצא לאור: (2017)

Simulation of iron impurity gettering in crystalline silicon solar cells
מאת: Powell, Douglas M. (Douglas Michael)
יצא לאור: (2012)

Porous silicon and aluminum co-gettering experiment in p-type multicrystalline silicon substrate
מאת: P.N. Vinod
יצא לאור: (2007-01-01)

Improvement of charge carrier lifetime in heat exchange method multicrystalline silicon wafers by extended phosphorous gettering process
מאת: D. Bouhafs, et al.
יצא לאור: (2011-12-01)

Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
מאת: Pilipenko V. A., et al.
יצא לאור: (2013-05-01)

Electron beam induced current investigations of transition metal impurities at extended defects in silicon
מאת: Wilshaw, P, et al.
יצא לאור: (1995)

Effects of Phosphorus Diffusion on Gettering of Metal Impurities in UMG Silicon Wafers
מאת: Sung Yean Yoon, et al.
יצא לאור: (2013-01-01)

The Physical mechanisms of gettering properties of nickel clusters in silicon solar cells
מאת: Zoir Kenzhaev, et al.
יצא לאור: (2024-06-01)

DLTS characterization of aluminum gettering of iron contaminants in boron-doped silicon
מאת: Thienprasit, Jeanne A. (Jeanne Athya)
יצא לאור: (2005)

Cathodoluminescence assessment of annealed silicon and a novel technique for estimating minority carrier lifetime in silicon
מאת: Fraser, K, et al.
יצא לאור: (2009)

Regularities of microdefect formation in silicon during heat treatment for internal getter synthesis
מאת: Vladimir T. Bublik, et al.
יצא לאור: (2019-09-01)

Transition metal gettering studies and simulation for the optimization of silicon photovoltaic device processing
מאת: Smith, Aimée Louise, 1971-
יצא לאור: (2005)

Evaluation of Hydrogen Gettering Rates Correlated to Surface Composition and Texture of Nickel-Plated Zircaloy Getters of Different Heat Treatment Procedures
מאת: Ewa C. E. Rönnebro, et al.
יצא לאור: (2023-01-01)

Effective lifetimes exceeding 300 μs in gettered p-type epitaxial kerfless silicon for photovoltaics
מאת: Powell, D. M., et al.
יצא לאור: (2015)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
מאת: Senkader, S, et al.
יצא לאור: (1999)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
מאת: Senkader, S, et al.
יצא לאור: (1999)

Finite- vs. infinite-source emitters in silicon photovoltaics: Effect on transition metal gettering
מאת: Vahanissi, Ville, et al.
יצא לאור: (2018)

High resolution deep level transient spectroscopy applied to extended defects in silicon
מאת: Evans-Freeman, J, et al.
יצא לאור: (2005)

Recombination at oxide precipitates in silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2011)

Generation of dislocation glide loops in Czochralski silicon
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2002)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
מאת: Giannattasio, A, et al.
יצא לאור: (2003)

On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon
מאת: Murphy, J, et al.
יצא לאור: (2013)

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
מאת: Senkader, S, et al.
יצא לאור: (2001)