GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
Selected results from a TEM study of copper precipitation at extended surface defects in silicon are reported. The relative getting effectiveness of surface pits, oxidation induced stacking faults, and their bounding partials is compared. Copper-silicide precipitate colonies on {111} planes are obse...
Հիմնական հեղինակներ: | Decoteau, M, Wilshaw, P, Falster, R |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
Publ by Inst of Physics Publ Ltd
1991
|
Նմանատիպ նյութեր
-
GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
: Decoteau, M, և այլն
Հրապարակվել է: (1991) -
GETTERING OF COPPER AND IRON TO EXTENDED SURFACE-DEFECTS IN SILICON
: Decoteau, M, և այլն
Հրապարակվել է: (1992) -
PRECIPITATION OF IRON IN SILICON - GETTERING TO EXTENDED SURFACE DEFECT SITES
: Decoteau, M, և այլն
Հրապարակվել է: (1991) -
GETTERING OF COPPER TO OXIDATION INDUCED STACKING-FAULTS IN SILICON
: Decoteau, M, և այլն
Հրապարակվել է: (1990) -
GETTERING IN SILICON
: Falster, R
Հրապարակվել է: (1989)