GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS

Hiển thị phiên bản (1) khác

Selected results from a TEM study of copper precipitation at extended surface defects in silicon are reported. The relative getting effectiveness of surface pits, oxidation induced stacking faults, and their bounding partials is compared. Copper-silicide precipitate colonies on {111} planes are obse...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Decoteau, M, Wilshaw, P, Falster, R
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	Publ by Inst of Physics Publ Ltd 1991

Những quyển sách tương tự

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1991)

GETTERING OF COPPER AND IRON TO EXTENDED SURFACE-DEFECTS IN SILICON
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1992)

PRECIPITATION OF IRON IN SILICON - GETTERING TO EXTENDED SURFACE DEFECT SITES
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1991)

GETTERING OF COPPER TO OXIDATION INDUCED STACKING-FAULTS IN SILICON
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1990)

GETTERING IN SILICON
Bằng: Falster, R
Được phát hành: (1989)

Cathodoluminescence assessment of low temperature gettering in silicon and a novel technique for estimating bulk minority carrier lifetime in silicon
Bằng: Fraser, K, et al.
Được phát hành: (2008)

Efficient, room-temperature, near-band gap luminescence by gettering in ion implanted silicon
Bằng: Stowe, D, et al.
Được phát hành: (2005)

Getters in silicon
Bằng: Vyacheslav A. Kharchenko
Được phát hành: (2019-03-01)

Oxygen precipitate studies in silicon for gettering in solar cell applications
Bằng: Salomon, Ashley
Được phát hành: (2018)

ELECTRON-BEAM-INDUCED ACTIVITY OF DEFECTS IN SILICON
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1994)

Gettering defects in semiconductors /
Bằng: 386064 Perevostchikov V. A., et al.
Được phát hành: (2005)

Atom probe Tomography of fast-diffusing impurities and the effect of gettering in multicrystalline silicon
Bằng: Tweddle, D, et al.
Được phát hành: (2018)

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
Bằng: Jurkschat, K, et al.
Được phát hành: (2001)

High-Performance and Traditional Multicrystalline Silicon: Comparing Gettering Responses and Lifetime-Limiting Defects
Bằng: Ekstrom, Kai E., et al.
Được phát hành: (2018)

Exceptional gettering response of epitaxially grown kerfless silicon
Bằng: Markevich, V. P., et al.
Được phát hành: (2018)

EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
Bằng: Fell, T, et al.
Được phát hành: (1993)

Detecting and gettering chromium impurities in photovoltaic crystalline silicon
Bằng: Jensen, Mallory Ann
Được phát hành: (2015)

Saw damage gettering for industrially relevant mc‐Si feedstock
Bằng: Shaw, E, et al.
Được phát hành: (2017)

Simulation of iron impurity gettering in crystalline silicon solar cells
Bằng: Powell, Douglas M. (Douglas Michael)
Được phát hành: (2012)

Porous silicon and aluminum co-gettering experiment in p-type multicrystalline silicon substrate
Bằng: P.N. Vinod
Được phát hành: (2007-01-01)

Improvement of charge carrier lifetime in heat exchange method multicrystalline silicon wafers by extended phosphorous gettering process
Bằng: D. Bouhafs, et al.
Được phát hành: (2011-12-01)

Methods and mechanisms of gettering of silicon structures in the production of integrated circuits
Bằng: Pilipenko V. A., et al.
Được phát hành: (2013-05-01)

Electron beam induced current investigations of transition metal impurities at extended defects in silicon
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1995)

Effects of Phosphorus Diffusion on Gettering of Metal Impurities in UMG Silicon Wafers
Bằng: Sung Yean Yoon, et al.
Được phát hành: (2013-01-01)

The Physical mechanisms of gettering properties of nickel clusters in silicon solar cells
Bằng: Zoir Kenzhaev, et al.
Được phát hành: (2024-06-01)

DLTS characterization of aluminum gettering of iron contaminants in boron-doped silicon
Bằng: Thienprasit, Jeanne A. (Jeanne Athya)
Được phát hành: (2005)

Cathodoluminescence assessment of annealed silicon and a novel technique for estimating minority carrier lifetime in silicon
Bằng: Fraser, K, et al.
Được phát hành: (2009)

Regularities of microdefect formation in silicon during heat treatment for internal getter synthesis
Bằng: Vladimir T. Bublik, et al.
Được phát hành: (2019-09-01)

Transition metal gettering studies and simulation for the optimization of silicon photovoltaic device processing
Bằng: Smith, Aimée Louise, 1971-
Được phát hành: (2005)

Evaluation of Hydrogen Gettering Rates Correlated to Surface Composition and Texture of Nickel-Plated Zircaloy Getters of Different Heat Treatment Procedures
Bằng: Ewa C. E. Rönnebro, et al.
Được phát hành: (2023-01-01)

Effective lifetimes exceeding 300 μs in gettered p-type epitaxial kerfless silicon for photovoltaics
Bằng: Powell, D. M., et al.
Được phát hành: (2015)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (1999)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (1999)

Finite- vs. infinite-source emitters in silicon photovoltaics: Effect on transition metal gettering
Bằng: Vahanissi, Ville, et al.
Được phát hành: (2018)

High resolution deep level transient spectroscopy applied to extended defects in silicon
Bằng: Evans-Freeman, J, et al.
Được phát hành: (2005)

Recombination at oxide precipitates in silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2011)

Generation of dislocation glide loops in Czochralski silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2002)

Dislocation locking by nitrogen impurities in FZ-silicon
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2003)

On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2013)

Oxygen-dislocation interactions in silicon at temperatures below 700 degrees C: Dislocation locking and oxygen diffusion
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2001)