A dissociation mechanism for the [a plus c] dislocation in GaN

A dissociation mechanism for the [a plus c] dislocation in GaN

Mixed-type [a+c] dislocations can be identified in atomic-resolution high-angle annular dark-field scanning transmission electron microscope images of GaN viewed along [0001] by use of a Burgers loop analysis and by observation of the depth-dependent displacements associated with the Eshelby twist....

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Nellist, P, Hirsch, P, Rhode, S, Horton, M, Lozano, J, Yasuhara, A, Okunishi, E, Zhang, S, Sahonta, S, Kappers, M, Humphreys, C, Moram, M
Ձևաչափ: Conference item
Հրապարակվել է: Institute of Physics Publishing 2014

Նմանատիպ նյութեր

Նմանատիպ նյութեր