Dynamics and gain in highly-excited InGaN MQWs

Dynamics and gain in highly-excited InGaN MQWs

Zobrazit další vydání (1)

The Kerr gate technique is used to time-resolve the gain in an In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N multiple quantum well sample. A new way of analyzing the data in such a variable stripe length method gain experiment is used to analyze both the time-integrated and time-resolved spectra. We confirm that the...

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Taylor, R, Kyhm, K, Smith, J, Rice, J, Ryan, J, Someya, T, Arakawa, Y
Médium:	Journal article
Jazyk:	English
Vydáno:	2002

Podobné jednotky

Dynamics and gain in highly-excited InGaN MQWs
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (2002)

Time-resolved gain dynamics in InGaN MQWs using a Kerr gate
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (2003)

Time-resolved gain dynamics in InGaN MQWs using a Kerr gate
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (2003)

Time-resolved gain saturation dynamics in InGaN multi-quantum well structures
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2004)

Time-resolved gain saturation dynamics in InGaN multi-quantum well structures
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2004)

Time-resolved gain dynamics in InGaN MQW structures
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2005)

Characterization and fabrication of InGaN/GaN MQWs and LEDs on macroporous Si substrate
Autor: Dang, Dominic Thor Weng
Vydáno: (2011)

Efficiency enhancement of InGaN amber MQWs using nanopillar structures
Autor: Ou Yiyu, a další
Vydáno: (2018-01-01)

Saturation of gain in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N MQW plasmas
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2002)

Saturation of gain in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N MQW plasmas
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2002)

Analysis of gain saturation in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N multiple quantum wells
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2001)

Analysis of gain saturation in In0.02Ga0.98N/In0.16Ga0.84N multiple quantum wells
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2001)

Identification of the Kirkendall effect as a mechanism responsible for thermal decomposition of the InGaN/GaN MQWs system
Autor: Roman Hrytsak, a další
Vydáno: (2022-01-01)

Dynamics of single InGaN quantum dots
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (2004)

Dynamics of localized carriers in InGaN multi-quantum wells
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2006)

Mechanism of V‑Shaped Pits on Promoting Hole Injection in the InGaN MQWs: First-Principles Investigation
Autor: Qingqing Feng, a další
Vydáno: (2024-01-01)

Time-resolved dynamics in single InGaN quantum dots
Autor: Robinson, J, a další
Vydáno: (2003)

Biexciton and exciton dynamics in single InGaN quantum dots
Autor: Rice, J, a další
Vydáno: (2005)

Time-resolved photoluminescence from hot two-dimensional carriers in GaAsGaAlAs MQWS
Autor: Ryan, J, a další
Vydáno: (1986)

Fabrication of High Efficiency Green InGaN/GaN MicroLEDs by Modulating Potential Barrier Height of the Sidewall MQWs in V-Pits
Autor: Hsin-Yu Liu, a další
Vydáno: (2024-01-01)

Excitation and temperature dependence of the broad gain spectrum in GaAs/AlGaAs quantum rings
Autor: Jang, J, a další
Vydáno: (2020)

Time-resolved dynamics in single InGaN quantum dots
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (2005)

Luminescence properties of isolated InGaN/GaN quantum dots
Autor: Martin, R, a další
Vydáno: (2005)

Three-photon excitation of InGaN quantum dots
Autor: Villafane, V, a další
Vydáno: (2023)

Optical Gain and Laser Characteristics of InGaN Quantum Wells on Ternary InGaN Substrates
Autor: Jing Zhang, a další
Vydáno: (2013-01-01)

Time-integrated and time-resolved photoluminescence studies of InGaN quantum dots
Autor: Robinson, J, a další
Vydáno: (2004)

Femtosecond exciton dynamics and the Mott transition in GaN under resonant excitation
Autor: Hess, S, a další
Vydáno: (1999)

Femtosecond exciton dynamics and the mott transition in GaN under resonant excitation
Autor: Hess, S, a další
Vydáno: (1999)

Advantages of InGaN–GaN–InGaN Delta Barriers for InGaN-Based Laser Diodes
Autor: Liwen Cheng, a další
Vydáno: (2021-08-01)

Quantum dot emission from site-controlled InGaN/GaN micropyramid arrays
Autor: Edwards, P, a další
Vydáno: (2004)

Gain characteristics of InGaN quantum wells with AlGaInN barriers
Autor: Hanlin Fu, a další
Vydáno: (2019-04-01)

Non-equilibrium carrier dynamics and many body effects in highly excited GaN
Autor: Kyhm, K, a další
Vydáno: (2011)

Carrier Dynamics in InGaN/GaN-Based Green LED under Different Excitation Sources
Autor: Jianfei Li, a další
Vydáno: (2021-09-01)

Growth of InGaN quantum dots on GaN by MOVPE, employing a growth temperature nitrogen anneal
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2003)

Quantum dot emission from selectively-grown InGaN/GaN micropyramid arrays
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (2005)

Non-linear excitation and correlation studies of single InGaN quantum dots
Autor: Collins, D, a další
Vydáno: (2009)

Non-linear excitation and correlation studies of single InGaN quantum dots
Autor: Collins, D, a další
Vydáno: (2009)

Thermoelectric properties of In-rich InGaN and InN/InGaN superlattices
Autor: James (Zi-Jian) Ju, a další
Vydáno: (2016-04-01)

On the mechanisms of InGaN electron cooler in InGaN/GaN light-emitting diodes
Autor: Zhang, Xueliang, a další
Vydáno: (2014)

Stimulated emission and excitonic bleaching in GaN epilayers under high-density excitation
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (1999)