Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
TEM study of compositional pro...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
TEM study of compositional profile in AlGaAs/GaAs quantum wells
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Zou, J
,
Cai, D
,
Cockayne, D
,
Yuan, S
,
Jagadish, C
Médium:
Conference item
Vydáno:
1998
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
Anodic-oxide-induced interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells
Autor: Yuan, S, a další
Vydáno: (1998)
Novel impurity-free interdiffusion in GaAs/AlGaAs quantum wells by anodization and rapid thermal annealing
Autor: Yuan, S, a další
Vydáno: (1997)
GaAs/AlAs/AlGaAs quantum well infrared photodetector
Autor: Fan, Weijun
Vydáno: (2008)
Optical properties of arsenic ions implanted GaAs/AlGaAs V-grooved quantum wires
Autor: Zhao, Q, a další
Vydáno: (2000)
V-grooved GaAs/AlGaAs quantum wires with side wall quantum wells intermixed by pulsed anodization and rapid thermal annealing
Autor: Kim, Y, a další
Vydáno: (1996)