Liao, X., Zou, J., Cockayne, D., Qin, J., Jiang, Z., Wang, X., & Leon, R. (1999). Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si(001).
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Liao, X., J. Zou, D. Cockayne, J. Qin, Z. Jiang, X. Wang, und R. Leon. Strain Relaxation by Alloying Effects in Ge Islands Grown on Si(001). 1999.
MLA-Zitierstil (9. Ausg.)Liao, X., et al. Strain Relaxation by Alloying Effects in Ge Islands Grown on Si(001). 1999.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.