Liao, X., Zou, J., Cockayne, D., Qin, J., Jiang, Z., Wang, X., & Leon, R. (1999). Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si(001).
Cytowanie według stylu Chicago (wyd. 17)Liao, X., J. Zou, D. Cockayne, J. Qin, Z. Jiang, X. Wang, i R. Leon. Strain Relaxation by Alloying Effects in Ge Islands Grown on Si(001). 1999.
Cytowanie według stylu MLA (wyd. 9)Liao, X., et al. Strain Relaxation by Alloying Effects in Ge Islands Grown on Si(001). 1999.
Uwaga: Te cytaty mogą odróżniać się od wytycznej twojego fakultetu..