Liao, X., Zou, J., Cockayne, D., Qin, J., Jiang, Z., Wang, X., & Leon, R. (1999). Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si(001).
Citação do estilo Chicago (17ª ed.)Liao, X., J. Zou, D. Cockayne, J. Qin, Z. Jiang, X. Wang, e R. Leon. Strain Relaxation by Alloying Effects in Ge Islands Grown on Si(001). 1999.
Citação MLA (9ª ed.)Liao, X., et al. Strain Relaxation by Alloying Effects in Ge Islands Grown on Si(001). 1999.
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