Liao, X., Zou, J., Cockayne, D., Qin, J., Jiang, Z., Wang, X., & Leon, R. (1999). Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si(001).
Цитирование в стиле Чикаго (17-е изд.)Liao, X., J. Zou, D. Cockayne, J. Qin, Z. Jiang, X. Wang, и R. Leon. Strain Relaxation by Alloying Effects in Ge Islands Grown on Si(001). 1999.
Цитирование MLA (9-е изд.)Liao, X., et al. Strain Relaxation by Alloying Effects in Ge Islands Grown on Si(001). 1999.
Предупреждение: эти цитированмия не могут быть всегда правильны на 100%.