Liao, X., Zou, J., Cockayne, D., Qin, J., Jiang, Z., Wang, X., & Leon, R. (1999). Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si(001).
Trích dẫn kiểu Chicago (xuất bản lần thứ 7)Liao, X., J. Zou, D. Cockayne, J. Qin, Z. Jiang, X. Wang, và R. Leon. Strain Relaxation by Alloying Effects in Ge Islands Grown on Si(001). 1999.
Trích dẫn kiểu MLA (xuất bản lần thứ 9)Liao, X., et al. Strain Relaxation by Alloying Effects in Ge Islands Grown on Si(001). 1999.
Cảnh báo: Các trích dẫn này có thể không phải lúc nào cũng chính xác 100%.