বিষয়বস্তু এড়িয়ে যান
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
ভাষা
সমস্ত ক্ষেত্রসমূহ
আখ্যা
লেখক
বিষয়
ডাক সংখ্যা
আইসবিএন/আইএসএসএন
ট্যাগ
অনুসন্ধান
বিস্তৃত
Strain relaxation by alloying...
সাইট করুন
এই পাঠটি
এই ই-মেইলটি
মুদ্রণ
নথি এক্সপোর্ট করুন
এক্সপোর্ট করুন RefWorks
এক্সপোর্ট করুন EndNoteWeb
এক্সপোর্ট করুন EndNote
স্থায়ী লিঙ্ক
Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si(001)
গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:
Liao, X
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Qin, J
,
Jiang, Z
,
Wang, X
,
Leon, R
বিন্যাস:
Journal article
প্রকাশিত:
1999
হোল্ডিংস
বিবরন
অনুরূপ উপাদানগুলি
স্টাফেদের বিবরণ দেখুন
অনুরূপ উপাদানগুলি
Extracting composition and alloying information of coherent Ge(Si)/Si(001) islands from [001] on-zone bright-field diffraction contrast images
অনুযায়ী: Liao, X, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2001)
Alloying and Strain Relaxation in SiGe Islands Grown on Pit-Patterned Si(001) Substrates Probed by Nanotomography
অনুযায়ী: Merdzhanova T, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2009-01-01)
[001] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(001).
অনুযায়ী: Liao, X, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2004)
Alternative mechanism for misfit dislocation generation during high-temperature Ge(Si)/Si(001) island growth
অনুযায়ী: Zou, J, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2002)
Alloying, elemental enrichment, and interdiffusion during the growth of Ge(Si)/Si(001) quantum dots
অনুযায়ী: Liao, X, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2002)