Přeskočit na obsah
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jazyk
Vše
Název
Autor
Téma
Signatura
ISBN/ISSN
Tag
Hledat
Pokročilé
Strain relaxation by alloying...
Vytvořit citaci
Zaslat SMS
Poslat e-mailem
Vytisknout
Exportovat záznam
Exportovat do RefWorks
Exportovat do EndNoteWeb
Exportovat do EndNote
Trvalý odkaz
Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si(001)
Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:
Liao, X
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Qin, J
,
Jiang, Z
,
Wang, X
,
Leon, R
Médium:
Journal article
Vydáno:
1999
Jednotky
Popis
Podobné jednotky
UNIMARC/MARC
Podobné jednotky
Extracting composition and alloying information of coherent Ge(Si)/Si(001) islands from [001] on-zone bright-field diffraction contrast images
Autor: Liao, X, a další
Vydáno: (2001)
Alloying and Strain Relaxation in SiGe Islands Grown on Pit-Patterned Si(001) Substrates Probed by Nanotomography
Autor: Merdzhanova T, a další
Vydáno: (2009-01-01)
[001] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(001).
Autor: Liao, X, a další
Vydáno: (2004)
Alternative mechanism for misfit dislocation generation during high-temperature Ge(Si)/Si(001) island growth
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (2002)
Alloying, elemental enrichment, and interdiffusion during the growth of Ge(Si)/Si(001) quantum dots
Autor: Liao, X, a další
Vydáno: (2002)