Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
Strain relaxation by alloying...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
Strain relaxation by alloying effects in Ge islands grown on Si(001)
Библиографические подробности
Главные авторы:
Liao, X
,
Zou, J
,
Cockayne, D
,
Qin, J
,
Jiang, Z
,
Wang, X
,
Leon, R
Формат:
Journal article
Опубликовано:
1999
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
Extracting composition and alloying information of coherent Ge(Si)/Si(001) islands from [001] on-zone bright-field diffraction contrast images
по: Liao, X, и др.
Опубликовано: (2001)
Alloying and Strain Relaxation in SiGe Islands Grown on Pit-Patterned Si(001) Substrates Probed by Nanotomography
по: Merdzhanova T, и др.
Опубликовано: (2009-01-01)
[001] zone-axis bright-field diffraction contrast from coherent Ge(Si) islands on Si(001).
по: Liao, X, и др.
Опубликовано: (2004)
Alternative mechanism for misfit dislocation generation during high-temperature Ge(Si)/Si(001) island growth
по: Zou, J, и др.
Опубликовано: (2002)
Alloying, elemental enrichment, and interdiffusion during the growth of Ge(Si)/Si(001) quantum dots
по: Liao, X, и др.
Опубликовано: (2002)