Polycrystalline silicon field emitters
Field emission of electrons from polycrystalline silicon micropoint emitters has been investigated. Two process routes, wet and dry etching, were used to form emitters, and their morphologies were compared using a transmission electron microscope (TEM). TEM micrographs of the wet-etched polysilicon...
Հիմնական հեղինակներ: | Boswell, E, Huq, SE, Huang, M, Prewett, P, Wilshaw, P |
---|---|
Ձևաչափ: | Conference item |
Հրապարակվել է: |
1996
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Polycrystalline silicon field emitters
: Boswell, E, և այլն
Հրապարակվել է: (1995) -
Fabrication of gated polycrystalline silicon field emitters
: Huq, SE, և այլն
Հրապարակվել է: (1996) -
Microfabrication and characterization of gridded polycrystalline silicon field emitter devices
: Huq, SE, և այլն
Հրապարակվել է: (1998) -
Microfabrication and characterisation of gridded polycrystalline silicon field emitter devices
: Huq, SE, և այլն
Հրապարակվել է: (1997) -
Enhanced field emission from polysilicon emitters using porous silicon
: Pullen, SE, և այլն
Հրապարակվել է: (1996)