An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon

An SEM EBIC study of the electronic properties of dislocations in silicon

<p>Individual, well structurally characterised dislocations present in n-type silicon have been studied using the electron beam induced current (EBIC) mode of an SEM.</p>An EBIC system has been designed and constructed which includes i) phase sensitive detection, ii) computerised contro...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Wilshaw, P, Wilshaw, Peter
Інші автори:	Ourmazd, A
Формат:	Дисертація
Мова:	English
Опубліковано:	1984
Предмети:	Dislocations in metals Defects Silicon Scanning electron microscopy

Схожі ресурси

A direct evidence of fatigue damage growth inside silicon MEMS structures obtained with EBIC technique
за авторством: Vu Le Huy, та інші
Опубліковано: (2014-06-01)

NEW RESULTS AND AN INTERPRETATION FOR SEM EBIC CONTRAST ARISING FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1985)

EBIC INVESTIGATIONS OF DISLOCATIONS AND THEIR INTERACTIONS WITH IMPURITIES IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1993)

Electronic and Optical Properties of Dislocations in Silicon
за авторством: Manfred Reiche, та інші
Опубліковано: (2016-06-01)

QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1991)

QUANTITATIVE EBIC INVESTIGATIONS OF DEFORMATION-INDUCED AND COPPER DECORATED DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Fell, T, та інші
Опубліковано: (1991)

DISLOCATION RECOMBINATION THEORY FOR SILICON AND INTERPRETATION OF EBIC CONTRAST IN TERMS OF FUNDAMENTAL DISLOCATION PARAMETERS.
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1986)

TEMPERATURE DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON.
за авторством: Ourmazd, A, та інші
Опубліковано: (1983)

THE TEMPERATURE-DEPENDENCE OF EBIC CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Ourmazd, A, та інші
Опубліковано: (1983)

AN EBIC INVESTIGATION OF ALPHA, BETA AND SCREW DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
за авторством: Galloway, S, та інші
Опубліковано: (1993)

SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATIONS IN SILICON USING A COMPUTERIZED EBIC SYSTEM
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1983)

SOME ASPECTS OF THE MEASUREMENTS OF ELECTRICAL EFFECTS OF DISLOCATION IN SILICON USING A COMPUTERISED EBIC SYSTEM.
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1983)

MEASUREMENT OF CONTRAST FROM INDIVIDUAL DISLOCATIONS BY LOCK-IN EBIC
за авторством: Ourmazd, A, та інші
Опубліковано: (1982)

Formation and structural studies of integrated membranes based on channel silicon
за авторством: V. V. Bolotov, та інші
Опубліковано: (2018-07-01)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)

THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989)

Application of the Alexander–Haasen Model for Thermally Stimulated Dislocation Generation in FZ Silicon Crystals
за авторством: Andrejs Sabanskis, та інші
Опубліковано: (2022-01-01)

Dislocations in Crystalline Silicon Solar Cells
за авторством: Libo Wang, та інші
Опубліковано: (2024-02-01)

The influence of low energy argon ion irradiation on generation of electrically active defects in silicon
за авторством: Popov V. M., та інші
Опубліковано: (2009-08-01)

Silicon surfaces
за авторством: Wilson, J, та інші
Опубліковано: (1991)

Distribution of D1 dislocation luminescence centers in Si+-implanted silicon and the photoluminescence model
за авторством: Sergeyi N. Nagornykh, та інші
Опубліковано: (2015-06-01)

Direct observation of dislocation motion in the complex alloy T-Al-Mn-Fe using in-situ transmission electron microscopy
за авторством: Marc Heggen, та інші
Опубліковано: (2023-05-01)

Effect of the RF Power of PECVD on the Crystalline Fractions of Microcrystalline Silicon (μc-Si:H) Films and Their Structural, Optical, and Electronic Properties
за авторством: Mario Moreno, та інші
Опубліковано: (2023-06-01)

Study the Structural Properties of Porous Silicon and their Applications as Thermal Sensors
за авторством: Israa Akram Abbas, та інші
Опубліковано: (2024-03-01)

Dislocation-related leakage-current paths of 4H silicon carbide
за авторством: Wandong Gao, та інші
Опубліковано: (2023-01-01)

Microscopy Methods for Biofilm Imaging: Focus on SEM and VP-SEM Pros and Cons
за авторством: Michela Relucenti, та інші
Опубліковано: (2021-01-01)

EBIC CONTRAST OF DEFECTS IN SEMICONDUCTORS
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1991)

Investigation of the Impact of Point Defects in InGaN/GaN Quantum Wells with High Dislocation Densities
за авторством: Pierre Lottigier, та інші
Опубліковано: (2023-09-01)

Dislocations and properties of real materials/
за авторством: Institute of Metals (Great Britain)
Опубліковано: (1985)

THE IMPACT OF THE METHOD OF UNDERLAY SURFACE PROCESSING ON THE DEVELOPMENT OF DEFECTS IN EPITAXIAL COMPOSITIONS IN THE COURSE OF SILICON PHOTO-TRANSDUCERS PRODUCTION
за авторством: Zoya Nikonova, та інші
Опубліковано: (2017-06-01)

Macroscopic dislocation modelling
за авторством: Tighe, S, та інші
Опубліковано: (1992)

Surface Plasmons in Silicon Nanowires
за авторством: Giovanni Borgh, та інші
Опубліковано: (2021-12-01)

Silicon p-i-n Mesa-Photodiode Technology
за авторством: Mykola S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2024-09-01)

Accurate quantification of dislocation loops in complex functional alloys enabled by deep learning image analysis
за авторством: Thomas Bilyk, та інші
Опубліковано: (2024-10-01)

Transparent Gelation of Ionic Liquids Trapped in Silicone Microcup Structures under Scanning Electron Microscopy
за авторством: Kaede Iwasaki, та інші
Опубліковано: (2023-02-01)

Kajian morfologi adunan ko-polimer polipropilena (PP) menggunakan scanning electron microscopy (SEM) /
за авторством: 246050 Ahmad Haizullizuan Ibrahim
Опубліковано: (1997)

EFFECTIVE SILICON DEVICE STRUCTURES WITH RADIATIVE RECOMBINATION ON DISLOCATIONS
за авторством: A. V. Mudryi, та інші
Опубліковано: (2015-03-01)

Electronic Properties of Intrinsic Defects in Amorphous Silicon Dioxide
за авторством: Kastner, Marc A.
Опубліковано: (2010)

Dislocation theory for engineers : worked examples /
за авторством: 395098 Faulkner, Roy, та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of Structural Defects on Parameters of Silicon Four-Quadrant p-i-n Photodiodes
за авторством: Mykola S. Kukurudziak
Опубліковано: (2024-06-01)