TWO-DIMENSIONAL BEHAVIOR DUE TO ELECTRONS BOUND AT DEFECTS IN INSE

TWO-DIMENSIONAL BEHAVIOR DUE TO ELECTRONS BOUND AT DEFECTS IN INSE

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Nicholas, R, Kressrogers, E, Portal, J, Galibert, J, Chevy, A
Médium:	Journal article
Vydáno:	1982

Podobné jednotky

CYCLOTRON-RESONANCE STUDIES ON BULK AND TWO-DIMENSIONAL CONDUCTION ELECTRONS IN INSE
Autor: Kressrogers, E, a další
Vydáno: (1982)

THE CYCLOTRON-RESONANCE LINEWIDTH IN TWO-DIMENSIONAL ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE
Autor: Kressrogers, E, a další
Vydáno: (1983)

THE ELECTRIC SUB-BAND STRUCTURE OF ELECTRON ACCUMULATION LAYERS IN INSE FROM SHUBINKOV-DEHAAS OSCILLATIONS AND INTER-SUB-BAND RESONANCE
Autor: Kressrogers, E, a další
Vydáno: (1983)

TWO-DIMENSIONAL MAGNETOPOLARON COUPLING TO BOTH HOMOPOLAR AND LONGITUDINAL OPTIC PHONONS IN THE LAYER COMPOUND INSE
Autor: Howell, D, a další
Vydáno: (1989)

Two-dimensional magnetopolaron coupling to both homopolar and longitudinal optic phonons in the layer compound InSe
Autor: Howell, D, a další
Vydáno: (1989)

Electronic Structures of Twisted Bilayer InSe/InSe and Heterobilayer Graphene/InSe
Autor: Xiaojing Yao, a další
Vydáno: (2021-05-01)

2D CYCLOTRON-RESONANCE AND MAGNETOPOLARON COUPLING TO HOMOPOLAR AND LO PHONONS IN THE LAYERED SEMICONDUCTOR INSE
Autor: Howell, D, a další
Vydáno: (1990)

Dimensional crossover in the carrier mobility of two-dimensional semiconductors: the case of InSe
Autor: Li, W, a další
Vydáno: (2019)

RESONANT MAGNETOPOLARON COUPLING TO BOTH POLAR AND NEUTRAL OPTICAL PHONONS IN THE LAYER COMPOUND INSE
Autor: Peeters, F, a další
Vydáno: (1992)

Realization of Ultrahigh Strain Modulation in Two‐Dimensional β‐InSe Layers
Autor: Mingyan Liu, a další
Vydáno: (2023-02-01)

Resonant magnetopolaron coupling to both polar and neutral optical phonons in the layer compound InSe
Autor: Peeters, F, a další
Vydáno: (1992)

TWO-DIMENSIONAL CONDUCTIVITY IN THE CONTACT REGIONS OF SILICON MOSFETS
Autor: Kressrogers, E, a další
Vydáno: (1980)

CYCLOTRON-RESONANCE OF BOTH MAGNETOPOLARON BRANCHES FOR POLAR AND NEUTRAL OPTIC-PHONON COUPLING IN THE LAYER COMPOUND INSE
Autor: Nicholas, R, a další
Vydáno: (1992)

Formation and healing of defects in atomically thin GaSe and InSe
Autor: Hopkinson, DG, a další
Vydáno: (2019)

Solid Phase Epitaxy of Single Phase Two-Dimensional Layered InSe Grown by MBE
Autor: Chia-Hsing Wu, a další
Vydáno: (2022-07-01)

ELECTRON-TRANSPORT IN SILICON INVERSION-LAYERS AT HIGH MAGNETIC-FIELDS AND THE INFLUENCE OF SUBSTRATE BIAS
Autor: Nicholas, R, a další
Vydáno: (1980)

Atomic-scale mechanisms of defect- and light-induced oxidation and degradation of InSe
Autor: Kistanov, Andrey A., a další
Vydáno: (2020)

Defect and doping properties of sliding ferroelectric γ-InSe for photovoltaic applications
Autor: Zhiwei Lyu, a další
Vydáno: (2024-03-01)

Electronic Structure and I-V Characteristics of InSe Nanoribbons
Autor: A-Long Yao, a další
Vydáno: (2018-04-01)

Remote Phonon Scattering in Two-Dimensional InSe FETs with High-<i>κ</i> Gate Stack
Autor: Pengying Chang, a další
Vydáno: (2018-12-01)

Enhancement of InSe Field-Effect-Transistor Performance against Degradation of InSe Film in Air Environment
Autor: Yadong Zhang, a další
Vydáno: (2021-12-01)

Novel Method for the Growth of Two-Dimensional Layered InSe Thin Films on Amorphous Substrate by Molecular Beam Epitaxy
Autor: Sheng-Wei Hsiao, a další
Vydáno: (2022-03-01)

Structure and Physical Properties of In2Se3{Mn}, InSe{Mn} and InSe{Fe} Layered Crystals
Autor: V. V. Kaminskii, a další
Vydáno: (2016-03-01)

Plasmonic hot electron induced layer dependent anomalous Fröhlich interaction in InSe
Autor: Mahfujur Rahaman, a další
Vydáno: (2021-07-01)

Modeling InSe phase-change materials
Autor: Kohary, K, a další
Vydáno: (2004)

Insulating states of a broken-gap two-dimensional electron-hole system
Autor: Takashina, K, a další
Vydáno: (2003)

HIGH MAGNETIC-FIELD STUDIES OF THE TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN GALNAS-INP SUPER-LATTICES
Autor: Portal, J, a další
Vydáno: (1983)

Haruan makan anak : inses di Semenanjung Malaysia /
Autor: 372595 Abd. Hadi Zakaria
Vydáno: (1998)

Strain Effect on Thermoelectric Performance of InSe Monolayer
Autor: Qian Wang, a další
Vydáno: (2019-08-01)

Photoluminescence of BI2O3-inse heterojunctions
Autor: Evtodiev, Igor
Vydáno: (2009-09-01)

Structural and Electronic Properties of Cu<sub>3</sub>InSe<sub>4</sub>
Autor: Oluwagbemiga P. Ojo, a další
Vydáno: (2022-09-01)

SUBBAND-LANDAU LEVEL COUPLING IN A TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN TILTED MAGNETIC-FIELDS
Autor: Brummell, M, a další
Vydáno: (1986)

Metal-insulator oscillations in a two-dimensional electron-hole system
Autor: Nicholas, R, a další
Vydáno: (2000)

Optical second harmonic generation in encapsulated single-layer InSe
Autor: Nadine Leisgang, a další
Vydáno: (2018-10-01)

Electrical and switching properties of InSe amorphous thin films/
Autor: Kenawy, M. A.

Structural and Optical Properties of Interfacial InSe Thin Film
Autor: Cansu Emir, a další
Vydáno: (2024-02-01)

Optoelectronic properties of the InSe/Ga2S3 interfaces
Autor: Najla M. Khusayfan, a další
Vydáno: (2018-09-01)

Photocapacitor based on nanocomposite n-InSe<RbNO3>
Autor: Netyaga V. V., a další
Vydáno: (2018-04-01)

Electron Transport in <i>n</i>-Type InSe van der Waals Crystals with Co Impurities
Autor: Zakhar R. Kudrynskyi, a další
Vydáno: (2022-10-01)

Defects activated photoluminescence in two-dimensional semiconductors: interplay between bound, charged, and free excitons
Autor: Tongay, Sefaattin, a další
Vydáno: (2014)