Synthesis of two-dimensional hexagonal boron nitride and tin-derivative dichalcogenides for nanoelectronic applications
<p>The discovery of graphene (Gr) has so far drawn significant attention and expanded into the development of other two-dimensional (2D) materials with complementary electronic properties over the past few years. Molybdenum disulfide (MoS<sub>2</sub>) and tungsten disulfide (WS2) a...
Հիմնական հեղինակ: | Chang, R-J |
---|---|
Այլ հեղինակներ: | Warner, J |
Ձևաչափ: | Թեզիս |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
2019
|
Խորագրեր: |
Նմանատիպ նյութեր
-
Growth of large single-crystalline two-dimensional boron nitride hexagons on electropolished copper
: Tay, Roland Yingjie, և այլն
Հրապարակվել է: (2014) -
Nanoelectronic device applications handbook
: IEEE International Conference on Nanatechnology ( 11:2011:Portland, Ore.), և այլն
Հրապարակվել է: (2013) -
Synthesis and applications of transition metal dichalcogenide-based nanomaterials
: Shi, Zhenyu
Հրապարակվել է: (2021) -
Nanoelectronics : nanowires, molecular electronics, and nanodevices /
: Iniewski, Krzysztof.
Հրապարակվել է: (c201) -
Emerging nanoelectronic devices /
: Chen, An (Electronics engineer), և այլն
Հրապարակվել է: (2014)