Synthesis of two-dimensional hexagonal boron nitride and tin-derivative dichalcogenides for nanoelectronic applications
<p>The discovery of graphene (Gr) has so far drawn significant attention and expanded into the development of other two-dimensional (2D) materials with complementary electronic properties over the past few years. Molybdenum disulfide (MoS<sub>2</sub>) and tungsten disulfide (WS2) a...
Автор: | Chang, R-J |
---|---|
Інші автори: | Warner, J |
Формат: | Дисертація |
Мова: | English |
Опубліковано: |
2019
|
Предмети: |
Схожі ресурси
Схожі ресурси
-
Growth of large single-crystalline two-dimensional boron nitride hexagons on electropolished copper
за авторством: Tay, Roland Yingjie, та інші
Опубліковано: (2014) -
Nanoelectronic device applications handbook
за авторством: IEEE International Conference on Nanatechnology ( 11:2011:Portland, Ore.), та інші
Опубліковано: (2013) -
Synthesis and applications of transition metal dichalcogenide-based nanomaterials
за авторством: Shi, Zhenyu
Опубліковано: (2021) -
Nanoelectronics : nanowires, molecular electronics, and nanodevices /
за авторством: Iniewski, Krzysztof.
Опубліковано: (c201) -
Emerging nanoelectronic devices /
за авторством: Chen, An (Electronics engineer), та інші
Опубліковано: (2014)