Minority carrier lifetime in silicon photovoltaics: The effect of oxygen precipitation

Minority carrier lifetime in silicon photovoltaics: The effect of oxygen precipitation

Hiển thị phiên bản (1) khác

Single-crystal Czochralski silicon used for photovoltaics is typically supersaturated with interstitial oxygen at temperatures just below the melting point. Oxide precipitates therefore can form during ingot cooling and cell processing, and nucleation sites are typically vacancy-rich regions. Oxygen...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Murphy, J, McGuire, R, Bothe, K, Voronkov, V, Falster, R
Định dạng:	Journal article
Được phát hành:	Elsevier 2014

Những quyển sách tương tự

Minority carrier lifetime in silicon photovoltaics: The effect of oxygen precipitation
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2014)

The impact of oxide precipitates on minority carrier lifetime in Czochralski silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2012)

Minority carrier lifetime in Czochralski silicon containing oxide precipitates
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2010)

The effect of oxide precipitates on minority carrier lifetime in p-type silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2011)

Parameterisation of injection-dependent lifetime measurements in semiconductors in terms of Shockley-Read-Hall statistics: An application to oxide precipitates in silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2012)

On the mechanism of recombination at oxide precipitates in silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2013)

Recombination at oxide precipitates in silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2011)

Cathodoluminescence assessment of annealed silicon and a novel technique for estimating minority carrier lifetime in silicon
Bằng: Fraser, K, et al.
Được phát hành: (2009)

Cathodoluminescence assessment of low temperature gettering in silicon and a novel technique for estimating bulk minority carrier lifetime in silicon
Bằng: Fraser, K, et al.
Được phát hành: (2008)

Room temperature sub-bandgap photoluminescence from silicon containing oxide precipitates
Bằng: Bothe, K, et al.
Được phát hành: (2012)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
Bằng: V.F. Onyshchenko, et al.
Được phát hành: (2020-03-01)

Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids
Bằng: V.F. Onyshchenko, et al.
Được phát hành: (2017-10-01)

Photoconductivity and minority carrier lifetime in tin sulfide and gallium arsenide semiconductors for photovoltaics
Bằng: Lenahan, Frances Daggett
Được phát hành: (2016)

Quinhydrone Chemical Passivation of a Silicon Surface for Minority Carrier Bulk-Lifetime Measurements
Bằng: M. Solcansky, et al.
Được phát hành: (2012-01-01)

Influence of Fabrication Processes and Annealing Treatment on the Minority Carrier Lifetime of Silicon Nanowire Films
Bằng: Shinya Kato, et al.
Được phát hành: (2017-03-01)

Exceeding 3 ms Minority Carrier Lifetime in n–type Non-contact Crucible Silicon
Bằng: Kivambe, Maulid, et al.
Được phát hành: (2018)

Temperature dependence of carrier lifetime in silicon/
Bằng: 269208 Sandiford, D. J., et al.
Được phát hành: ([n.d)

Spin-dependent recombination in Czochralski silicon containing oxide precipitates
Bằng: Lang, V, et al.
Được phát hành: (2012)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Oxygen transport in Czochralski silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Effects of damages induced by indium-tin-oxide reactive plasma deposition on minority carrier lifetime in silicon crystal
Bằng: Takefumi Kamioka, et al.
Được phát hành: (2019-10-01)

Understanding of Molecular Contribution of Quinhydrone/Methanol Organic Passivation for Improved Minority Carrier Lifetime on Nanostructured Silicon Surface
Bằng: Jea-Young Choi
Được phát hành: (2019-09-01)

Locking of dislocations by oxygen in Cz-silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (1999)

Experimental Determination of Effective Minority Carrier Lifetime in HgCdTe Photovoltaic Detectors Using Optical and Electrical Methods
Bằng: Haoyang Cui, et al.
Được phát hành: (2015-01-01)

On the locking of dislocations by oxygen in silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2001)

In situ minority carrier lifetime via fast modulated photoluminescence
Bằng: Poplawski Mateusz, et al.
Được phát hành: (2023-01-01)

Lifetime in semiconductors : an apparatus for the measurement of carrier liftmen in silicon /
Bằng: 269176 Rose, F. W. G., et al.

Onset of slip in silicon containing oxide precipitates
Bằng: Jurkschat, K, et al.
Được phát hành: (2001)

Oxygen and nitrogen transport in silicon investigated by dislocation locking experiments
Bằng: Giannattasio, A, et al.
Được phát hành: (2005)

New Coefficients of the Minority Carrier Lifetime and Bandgap Narrowing Models in the Transparent Emitter of Thin Film Silicon Solar Cells
Bằng: A. Zerga, et al.
Được phát hành: (2003-01-01)

New Coefficients of the Minority Carrier Lifetime and Bandgap Narrowing Models in the Transparent Emitter of Thin Film Silicon Solar Cells
Bằng: M. Benosman, et al.
Được phát hành: (2001-01-01)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1991)

GETTERING OF COPPER IN SILICON - PRECIPITATION AT EXTENDED SURFACE-DEFECTS
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1991)

Dislocation locking in silicon by oxygen and oxygen transport at low temperatures
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (2004)

The segregation behaviour of oxygen at dislocations in silicon
Bằng: Senkader, S, et al.
Được phát hành: (1999)

Interlaboratory study of eddy-current measurement of excess-carrier recombination lifetime
Bằng: Blum, A, et al.
Được phát hành: (2014)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Enhanced oxygen diffusion in highly doped p-type Czochralski silicon
Bằng: Murphy, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Reference samples of the silicon single crystalls free carrier recombination lifetime
Bằng: S. P. Kobeleva, et al.
Được phát hành: (2017-05-01)

PRECIPITATION OF IRON IN SILICON - GETTERING TO EXTENDED SURFACE DEFECT SITES
Bằng: Decoteau, M, et al.
Được phát hành: (1991)