The properties of nitrogen in silicon

The properties of nitrogen in silicon

The behaviour of nitrogen in silicon is investigated using the dislocation unlocking technique. Specimens containing well-ordered arrays of dislocations are isothermally annealed for a controlled duration, during which nitrogen segregates to and pins the dislocations. The stress required to unlock t...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Alpass, C, Charles Alpass
Tác giả khác:	Wilshaw, P
Định dạng:	Luận văn
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2008
Những chủ đề:	Semiconductors Silicon Single crystal semiconductors Materials Sciences

Những quyển sách tương tự

Interaction of oxygen and nitrogen impurities with dislocations in silicon single-crystals
Bằng: Giannattasio, A
Được phát hành: (2004)

Epitaxial silicon technology/
Bằng: Baliga, B. Jayant
Được phát hành: (1986)

Amorphous and polycrystalline thin-film silicon science and technology--2012 : symposium held April 9-13, 2012, San Francisco, California, U.S.A. /
Bằng: Symposium A, "Amorphous and Polycrystalline Thin Film Silicon Science and Technology" (2012 : San Francisco, Calif.), et al.
Được phát hành: ( c20)

Film silicon science and technology : symposium held April 1-5, 2013, San Francisco, California, U.S.A. /
Bằng: Film Silicon Science and Technology (Symposium) (2013 : San Francisco, Calif.), et al.
Được phát hành: (2013)

Silicon semiconductor technology /
Bằng: 414968 Runyan, Walter R.
Được phát hành: (1965)

Silicon semiconductor data /
Bằng: 189914 Wolf, Helmut F.
Được phát hành: (1969)

Lifetime in semiconductors : an apparatus for the measurement of carrier liftmen in silicon /
Bằng: 269176 Rose, F. W. G., et al.

Crystal growth and evaluation of silicon for VLSI and ULSI /
Bằng: Eranna, G., author
Được phát hành: (2015)

The elemental semiconductors-silicon and germanium /
Bằng: 267485 Shields, J.
Được phát hành: ((19.)

Advances in silicon carbide processing and applications /
Bằng: Saddow, Stephen E., et al.
Được phát hành: (2004)

Properties of semiconductor alloys : group-IV, III-V and II-VI semiconductors /
Bằng: 365734 Adachi, Sadao
Được phát hành: (2009)

PECVD silicon carbide deposited at different temperature /
Bằng: B. Zatko, J. Huran, et al.

Silicon (p-n) junction diodes/
Bằng: 267485 Shields, J., et al.
Được phát hành: ([n d)

Amorphous and polycrystalline thin-film silicon science and technology--2010 : symposium held April 5-9, 2010, San Francisco, California /
Bằng: Wang, Qi, et al.
Được phát hành: (2010)

Silicon carbide radiation detectors /
Bằng: 532907 De Napoli, Marzio
Được phát hành: (c201)

Porous silicon /
Bằng: Feng, Zhe Chuan, et al.
Được phát hành: (1994)

The stoichiometry of TCNQ-based organic charge-transfer cocrystals
Bằng: Gao, Jiaoyang, et al.
Được phát hành: (2021)

The usage of silicon as a sensor material /
Bằng: 253290 Suresh Kumar Murugiya

Silicon solid state devices and radiation detection /
Bằng: Leroy, Claude, 1947-, et al.
Được phát hành: (c201)

Defect characterisation in multi-crystalline silicon
Bằng: Lotharukpong, C
Được phát hành: (2015)

Heterostructures on silicon : one step further with silicon/
Bằng: Nissim, Yves I., et al.
Được phát hành: (1989)

Etching performance of silicon wafers with redesigned etching drum /
Bằng: 186505 Rozzeta Dolah, et al.
Được phát hành: (2006)

Into the nano era : moore's law beyond planar silicon CMOS /
Bằng: Huff, Howard R
Được phát hành: (2009)

Change of electrophysical properties of the Si(111) and Si(100) surface in the process of ion implantation and next annealing
Bằng: A. S. Rysbaev, et al.
Được phát hành: (2021-11-01)

Etching performance of silicon wafers with redesigned etching drum [electronic resource] /
Bằng: 186505 Rozzeta Dolah, et al.
Được phát hành: (2006)

Etching performance of silicon wafers with redesigned etching drum : An Approach to Etching Optimization /
Bằng: Rozzeta Dolah, author, et al.
Được phát hành: (2012)

Microstructural properties of semiconductor nanostructures
Bằng: Li, F
Được phát hành: (2011)

Two-Dimensional Silicon Carbide: Emerging Direct Band Gap Semiconductor
Bằng: Sakineh Chabi, et al.
Được phát hành: (2020-11-01)

Using chemical etching technique to determination the crystal orientation for silicon wafer
Được phát hành: (2010-04-01)

Analytical chemistry in semiconductor manufacturing : techniques, role of nuclear methods and need for quality control /
Bằng: International Atomic Energy Agency
Được phát hành: (1989)

Removal of dislocation cores from multicrystalline silicon by etching
Bằng: Gregori, N
Được phát hành: (2011)

Gettering defects in semiconductors /
Bằng: 386064 Perevostchikov V. A., et al.
Được phát hành: (2005)

A novel design of a silicon PIN diode for increasing the breakdown voltage
Bằng: Farzaneh Rezaei, et al.
Được phát hành: (2022-09-01)

The Creation of True Two-Dimensional Silicon Carbide
Bằng: Sakineh Chabi, et al.
Được phát hành: (2021-07-01)

Porous silicon carbide and gallium nitride : epitaxy, catalysis, and biotechnology applications /
Bằng: 462373 Feenstra, Randall M., et al.
Được phát hành: (2008)

Stress Engineering With Silicon Nitride Stressors for Ge-on-Si Lasers
Bằng: Jiaxin Ke, et al.
Được phát hành: (2017-01-01)

Fundamentals of silicon carbide technology : growth, characterization, devices and applications /
Bằng: Kimoto, Tsunenobu, 1963-, author, et al.
Được phát hành: (2014)

Structural properties of hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) thin film grown via radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF PECVD) /
Bằng: 262770 Hasbullah Anthony Hasbi, et al.
Được phát hành: (2005)

Creation and control of entanglement in condensed matter spin systems
Bằng: Simmons, S
Được phát hành: (2011)

Micro Cantilever Movement Detection with an Amorphous Silicon Array of Position Sensitive Detectors
Bằng: Isabel Ferreira, et al.
Được phát hành: (2010-09-01)