Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
CHEMICAL MICROANALYSIS OF SEMI...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
CHEMICAL MICROANALYSIS OF SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES BY THICKNESS FRINGE IMAGING
Библиографические подробности
Главные авторы:
Glaisher, R
,
Cockayne, D
Формат:
Journal article
Опубликовано:
1993
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
DISLOCATION GEOMETRIES IN SEMICONDUCTORS AND IN SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
по: Cockayne, D, и др.
Опубликовано: (1991)
LATTICE FRINGE IMAGING OF MODULATED STRUCTURES
по: Cockayne, D, и др.
Опубликовано: (1981)
RECENT DEVELOPMENTS IN THE STUDY OF SEMICONDUCTORS BY ATOM PROBE MICROANALYSIS.
по: Grovenor, C, и др.
Опубликовано: (1985)
Limitations on the s-state approach to the interpretation of sub-angstrom resolution electron microscope images and microanalysis.
по: Anstis, G, и др.
Опубликовано: (2003)
CRITICAL THICKNESS DETERMINATION OF INXGA1-XAS/GAAS STRAINED-LAYER SYSTEM BY TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY
по: Zou, J, и др.
Опубликовано: (1991)