Registration of single quantum dots using cryogenic laser photolithography
We have registered the position of single InGaAs quantum dots using a cryogenic laser photolithography technique. This is an important advance towards the reproducible fabrication of solid-state cavity quantum electrodynamic devices, a key requirement for commercial exploitation of quantum informati...
Автори: | Lee, K, Green, A, Taylor, R, Sharp, D, Scrimgeour, J, Roche, O, Na, J, Jarjour, A, Turberfield, A, Brossard, F, Williams, D, Briggs, G |
---|---|
Формат: | Journal article |
Мова: | English |
Опубліковано: |
American Institute of Physics
2006
|
Предмети: |
Схожі ресурси
Схожі ресурси
-
Cryogenic two-photon laser photolithography with SU-8
за авторством: Lee, K, та інші
Опубліковано: (2006) -
Registration of single quantum dots using cryogenic laser photolithography
за авторством: Lee, K, та інші
Опубліковано: (2006) -
Registration of single quantum dots using cryogenic laser photolithography
за авторством: Lee, K, та інші
Опубліковано: (2006) -
Accuracy of single quantum dot registration using cryogenic laser photolithography
за авторством: Lee, K, та інші
Опубліковано: (2006) -
Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot
за авторством: Jarjour, A, та інші
Опубліковано: (2007)