Registration of single quantum dots using cryogenic laser photolithography

We have registered the position of single InGaAs quantum dots using a cryogenic laser photolithography technique. This is an important advance towards the reproducible fabrication of solid-state cavity quantum electrodynamic devices, a key requirement for commercial exploitation of quantum informati...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Lee, K, Green, A, Taylor, R, Sharp, D, Scrimgeour, J, Roche, O, Na, J, Jarjour, A, Turberfield, A, Brossard, F, Williams, D, Briggs, G
Ձևաչափ: Journal article
Լեզու:English
Հրապարակվել է: American Institute of Physics 2006
Խորագրեր: