GASB GAINSB QUANTUM WELLS GROWN BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY

GASB GAINSB QUANTUM WELLS GROWN BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY

Бібліографічні деталі
Автори:	Haywood, S, Chidley, E, Mallard, R, Mason, N, Nicholas, R, Walker, P, Warburton, R
Формат:	Journal article
Опубліковано:	1989

Схожі ресурси

GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
за авторством: Chidley, E, та інші
Опубліковано: (1989)

PHOTOLUMINESCENCE OF GASB GROWN BY METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
за авторством: Chidley, E, та інші
Опубліковано: (1991)

A MAGNETOOPTICAL STUDY OF COUPLED QUANTUM-WELLS IN STRAINED GAINSB/GASB
за авторством: Wong, S, та інші
Опубліковано: (1993)

GASB HETEROSTRUCTURES GROWN BY MOVPE
за авторством: Chidley, E, та інші
Опубліковано: (1988)

LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
за авторством: Mallard, R, та інші
Опубліковано: (1989)

LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
за авторством: Mallard, R, та інші
Опубліковано: (1989)

Multiscale models of the metalorganic vapor phase epitaxy process
за авторством: Venkataramani, Rajesh, 1972-
Опубліковано: (2005)

GASB/INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE
за авторством: Haywood, S, та інші
Опубліковано: (1991)

HIGH-PRESSURE INVESTIGATION OF GASB AND GA1-XINXSB/GASB QUANTUM-WELLS
за авторством: Warburton, R, та інші
Опубліковано: (1991)

InGaN quantum dots grown by metalorganic vapor phase epitaxy employing a post-growth nitrogen anneal
за авторством: Oliver, R, та інші
Опубліковано: (2003)

STRAIN RECONSTRUCTION OF THE VALENCE BAND IN GA1-XINXSB GASB QUANTUM-WELLS
за авторством: Warburton, R, та інші
Опубліковано: (1990)

Infrared single wavelength gas composition monitoring for metalorganic vapour-phase epitaxy
за авторством: Watkins, S, та інші
Опубліковано: (2000)

STUDIES OF PIEZOELECTRIC EFFECTS IN [111] ORIENTED STRAINED GA1-XINXSB/GASB QUANTUM-WELLS
за авторством: Lakrimi, M, та інші
Опубліковано: (1992)

STUDIES OF PIEZOELECTRIC EFFECTS IN [111] ORIENTED STRAINED GA1-XINXSB/GASB QUANTUM-WELLS
за авторством: Lakrimi, M, та інші
Опубліковано: (1992)

CYCLOTRON-RESONANCE MEASUREMENTS OF THE HOLE MASS IN [001] AND [111] INXGA1-XSB/GASB QUANTUM-WELLS
за авторством: Warburton, R, та інші
Опубліковано: (1993)

PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
за авторством: Warburton, R, та інші
Опубліковано: (1991)

GROWTH OF GASB BY MOVPE
за авторством: Haywood, S, та інші
Опубліковано: (1988)

COMPOSITIONAL HOMOGENEITY OF METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION GROWN III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR EPILAYERS
за авторством: Mackenzie, R, та інші
Опубліковано: (1991)

MAGNETOOPTICAL STUDY OF GA(1-X)IN(X)SB/GASB STRAINED-QUANTUM-WELL STRUCTURES - MINIBAND FORMATION AND VALENCE-BAND STRUCTURE
за авторством: Wong, S, та інші
Опубліковано: (1994)

ELECTROLUMINESCENCE OUT TO 2.1 MU-M OBSERVED IN GASB/IN(X)GA(1-X)SB QUANTUM-WELLS GROWN BY MOVPE
за авторством: Krier, A, та інші
Опубліковано: (1994)

Luminescence of III-IV-V thin film alloys grown by metalorganic chemical vapor deposition
за авторством: Jia, Roger Qingfeng, та інші
Опубліковано: (2019)

OPTICAL STUDIES OF EXCITONS IN GAINAS/INP QUANTUM WELLS GROWN BY LOW-PRESSURE METAL ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
за авторством: Shorthose, M, та інші
Опубліковано: (1988)

GASB INAS HETEROJUNCTIONS GROWN BY MOVPE - EFFECT OF GAS SWITCHING SEQUENCES ON INTERFACE QUALITY
за авторством: Lakrimi, M, та інші
Опубліковано: (1991)

CYCLOTRON-RESONANCE IN INAS/GASB HETEROSTRUCTURES
за авторством: Sundaram, G, та інші
Опубліковано: (1992)

Metalorganic vapor phase epitaxy growth of AlxIn1-xP alloys and its CuPt type atomic ordering
за авторством: Zhao, Jing Hua
Опубліковано: (2010)

OPTICAL AND TRANSPORT-PROPERTIES OF PIEZOELECTRIC [LLL]-ORIENTED STRAINED GA1-XINXSB/GASB QUANTUM-WELLS
за авторством: Wong, S, та інші
Опубліковано: (1993)

ABSORPTION CHARACTERISTICS OF GASB/INAS AND INSB/INAS SLSS GROWN ON (111) GAAS BY MOVPE
за авторством: Lakrimi, M, та інші
Опубліковано: (1991)

Metalorganic chemical vapor deposition of aluminum nitride and gallium nitride
за авторством: Ho, Kwok-Lun
Опубліковано: (2005)

Effect of multi-layer barriers on the optical properties of GaInNAs single quantum-well structures grown by metal-organic vapor phase epitaxy
за авторством: Sun, Handong, та інші
Опубліковано: (2009)

Properties of narrow gap quantum dots and wells in the InAs/InSb/GaSb systems
за авторством: Nicholas, R, та інші
Опубліковано: (2004)

2-DIMENSIONAL SPIN CONFINEMENT IN STRAINED QUANTUM-WELLS
за авторством: Martin, R, та інші
Опубліковано: (1990)

MAGNETOTRANSPORT OF PIEZOELECTRIC [111] ORIENTED STRAINED QUANTUM-WELLS
за авторством: Martin, R, та інші
Опубліковано: (1991)

Growth and characterization of ZnSe by metalorganic and gas source molecular beam epitaxy
за авторством: Coronado, Christopher Alan
Опубліковано: (2006)

Metalorganic polymers/
за авторством: Andrianov, Kuz'ma Andrianovich
Опубліковано: (1965)

Photoluminescence of self-assembled InSb quantum dots grown on GaSb as a function of excitation power, temperature, and magnetic field
за авторством: Alphandery, E, та інші
Опубліковано: (2002)

ORIENTATION AND PRESSURE-DEPENDENCE OF THE BAND OVERLAP IN INAS/GASB STRUCTURES
за авторством: Symons, D, та інші
Опубліковано: (1994)

HOT CARRIER COOLING IN GASB - BULK AND QUANTUM WELLS
за авторством: Snow, P, та інші
Опубліковано: (1989)

Self-assembled InSb quantum dots grown on GaSb: A photoluminescence, magnetoluminescence, and atomic force microscopy study
за авторством: Alphandery, E, та інші
Опубліковано: (1999)

Non-polar (11-20) InGaN quantum dots with short exciton lifetimes grown by metal-organic vapor phase epitaxy
за авторством: Zhu, T, та інші
Опубліковано: (2013)

Growth of III-V nanowires and nanowire heterostructures by metalorganic chemical vapor deposition
за авторством: Joyce, H, та інші
Опубліковано: (2007)