SHALLOW DONOR SPECTROSCOPY AND POLARON COUPLING IN GA0.47IN0.53AS
Päätekijät: | Nicholas, R, Sarkar, C, Brunel, L, Huant, S, Portal, J, Razeghi, M, Chevrier, J, Massies, J, Cox, H |
---|---|
Aineistotyyppi: | Journal article |
Julkaistu: |
1985
|
Samankaltaisia teoksia
-
FREQUENCY-SHIFTED POLARON COUPLING IN GA0.47IN0.53AS HETEROJUNCTIONS
Tekijä: Nicholas, R, et al.
Julkaistu: (1985) -
ELECTRON-OPTIC PHONON COUPLING IN GA0.47IN0.53AS BASED HETEROSTRUCTURES
Tekijä: Nicholas, R, et al.
Julkaistu: (1986) -
QUANTUM OSCILLATIONS AT A GA0.47IN0.53AS-INP HETEROJUNCTION INTERFACE
Tekijä: Nicholas, R, et al.
Julkaistu: (1982) -
PRESSURE-DEPENDENCE STUDY OF THE EFFECTIVE MASS IN GA0.47IN0.53AS/INP HETEROJUNCTIONS
Tekijä: Gauthier, D, et al.
Julkaistu: (1988) -
Preparation and some properties of Mg2Si0.53Ge0.47 single crystal and Mg2Si0.53Ge0.47 pn-junction diode
Tekijä: Ahmed A. M. El-Amir, et al.
Julkaistu: (2018-11-01)