Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Jezik
Vsa polja
Naslov
Avtor
Tema
Signatura
ISBN/ISSN
Oznaka
Išči
Napredno
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS...
Citiraj
Pošljite SMS
Pošljite email
Natisni
Izvozi zadetek
Izvozi v RefWorks
Izvozi v EndNoteWeb
Izvozi v EndNote
Permanent link
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
Show other versions (1)
Bibliografske podrobnosti
Main Authors:
Fell, T
,
Wilshaw, P
Format:
Conference item
Izdano:
1989
Zaloga
Opis
Other Versions (1)
Podobne knjige/članki
Knjižničarski pogled
Podobne knjige/članki
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN THE DEPLETION REGION IN SILICON
od: Fell, T, et al.
Izdano: (1989)
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
od: Wilshaw, P, et al.
Izdano: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
od: Wilshaw, P, et al.
Izdano: (1989)
THE ELECTRONIC-PROPERTIES OF DISLOCATIONS IN SILICON
od: Wilshaw, P, et al.
Izdano: (1989)
THE EFFECT OF DIFFERENT TRANSITION-METALS ON THE RECOMBINATION EFFICIENCY OF DISLOCATIONS
od: Fell, T, et al.
Izdano: (1991)