Direct-write non-linear photolithography for semiconductor nanowire characterization.
A practical bottleneck prohibiting the rapid, confident and damage-free electrical contacting of vapour-liquid-solid grown nanowires arises from the random spatial distribution and variation in quality of the nanowires, and the contact dimensions required. Established techniques such as electron-bea...
প্রধান লেখক: | Parkinson, P, Jiang, N, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C |
---|---|
বিন্যাস: | Journal article |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
IOP Publishing
2012
|
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
Non-linear direct-laser-write lithography for semiconductor nanowire characterisation
অনুযায়ী: Parkinson, P, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2012) -
III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
অনুযায়ী: Mokkapati, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2013) -
Polarization tunable, multicolor emission from core-shell photonic III-V semiconductor nanowires.
অনুযায়ী: Mokkapati, S, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2012) -
Characterization of semiconductor nanowires using optical tweezers
অনুযায়ী: Reece, Peter J., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011) -
III-V semiconductor nanowires for optoelectronic device applications
অনুযায়ী: Joyce, H, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2011)