A comparison of two air-stable molecular n-dopants for C₆₀

A comparison of two air-stable molecular n-dopants for C₆₀

We compare two air-stable <em>n</em>-dopants for the fullerene C<sub>60</sub>: AOB and DMBI-POH. Conductivity and Seebeck coefficient measurements were performed at various doping concentrations and the thermal activation of the conductivity was determined. A superlinear incr...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Menke, T, Ray, D, Kleemann, H, Leo, K, Riede, M, Wei, P, Naab, B, Bao, Z
Формат:	Journal article
Мова:	English
Опубліковано:	Elsevier 2012

Схожі ресурси

2-(2-Methoxyphenyl)-1,3-dimethyl-1H-benzoimidazol-3-ium iodide as a new air-stable n-type dopant for vacuum-processed organic semiconductor thin films.
за авторством: Wei, P, та інші
Опубліковано: (2012)

Highly efficient p-dopants in amorphous hosts
за авторством: Menke, T, та інші
Опубліковано: (2014)

In-situ conductivity and Seebeck measurements of highly efficient n-dopants in fullerene C60
за авторством: Menke, T, та інші
Опубліковано: (2012)

Self-passivation of molecular n-type doping during air exposure using a highly efficient air-instable dopant
за авторством: Tietze, M, та інші
Опубліковано: (2013)

Self-passivation of molecular n-type doping during air exposure using a highly efficient air-instable dopant
за авторством: Tietze, M, та інші
Опубліковано: (2013)

Measurement of small molecular dopant F4TCNQ and C60F36 diffusion in organic bilayer architectures
за авторством: Li, J, та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of C60F36 as low-volatility p-dopant in organic optoelectronic devices
за авторством: Meerheim, R, та інші
Опубліковано: (2011)

Controlling Molecular Orientation of Small Molecular Dopant-Free Hole-Transport Materials: Toward Efficient and Stable Perovskite Solar Cells
за авторством: Wenhui Li, та інші
Опубліковано: (2023-03-01)

The electric field and dopant distribution in p-i-n structures observed by ionisation potential (dopant contrast) microscopy in the HRSEM
за авторством: Grunbaum, E, та інші
Опубліковано: (2005)

Dopant-Induced Electric Fields and Their Influence on the Band-Edge Absorption of GaN
за авторством: Yitian Bao, та інші
Опубліковано: (2019-09-01)

Structural phase transition in pentacene caused by molecular doping and its effect on charge carrier mobility
за авторством: Kleemann, H, та інші
Опубліковано: (2012)

Development Of N-Type Spin-On Dopant For Silicon Devices
за авторством: Ahmad Kamil, Suraya
Опубліковано: (2009)

Dopant-stimulated growth of GaN nanotube-like nanostructures on Si(111) by molecular beam epitaxy
за авторством: Alexey D. Bolshakov, та інші
Опубліковано: (2018-01-01)

A Dopant‐Free Hole Transporting Layer for Efficient and Stable Planar Perovskite Solar Cells
за авторством: Tavakoli, Mohammad Mahdi, та інші
Опубліковано: (2022)

A Dopant‐Free Hole Transporting Layer for Efficient and Stable Planar Perovskite Solar Cells
за авторством: Tavakoli, Mohammad Mahdi, та інші
Опубліковано: (2022)

Unlocking AlN Piezoelectric Performance with Earth‐Abundant Dopants
за авторством: Jacob Startt, та інші
Опубліковано: (2023-04-01)

Dopants and defects in semiconductors /
за авторством: McCluskey, Matthew D., та інші
Опубліковано: (2012)

A dopant‐free polymer as hole‐transporting material for highly efficient and stable perovskite solar cells
за авторством: Li, Xianqiang, та інші
Опубліковано: (2020)

A Novel Organic Dopant for Spiro-OMeTAD in High-Efficiency and Stable Perovskite Solar Cells
за авторством: Ying Guo
Опубліковано: (2022-07-01)

Dopant-Free Hole Transport Materials with a Long Alkyl Chain for Stable Perovskite Solar Cells
за авторством: Kai Wang, та інші
Опубліковано: (2019-06-01)

Thermal degradation comparison of delta-doped GaAs tunnel junctions using Si and Te n-type dopants
за авторством: May Angelu Madarang, та інші
Опубліковано: (2023-04-01)

Dopant profile model in a shallow germanium n+/p junction
за авторством: Baek, Jung Woo, та інші
Опубліковано: (2014)

The impact of metal dopants on the properties of nZVI: a theoretical study
за авторством: Jessica Jein White, та інші
Опубліковано: (2024-01-01)

N-Dopant-Mediated Growth of Metal Oxide Nanoparticles on Carbon Nanotubes
за авторством: Jin Ah Lee, та інші
Опубліковано: (2021-07-01)

Dopant-Based Charge Sensing Utilizing P-I-N Nanojunction
за авторством: Nowak Roland, та інші
Опубліковано: (2017-06-01)

Dopant–dopant interactions in beryllium doped indium gallium arsenide: An ab initio study
за авторством: Kulish, Vadym, та інші
Опубліковано: (2018)

Variation of redistribution of an infused dopant in a multilayer structure with variation of pressure of vapor of the dopant
за авторством: E Pankratov, та інші
Опубліковано: (2016-10-01)

Detection of trap charge in small molecular organic bulk heterojunction solar cells
за авторством: Ray, D, та інші
Опубліковано: (2010)

Low-cost dopant-free carbazole enamine hole-transporting materials for thermally stable perovskite solar cells
за авторством: Zhou, S, та інші
Опубліковано: (2021)

Efficient and stable perovskite solar cells using molybdenum tris(dithiolene)s as p-dopants for spiro-OMeTAD
за авторством: Pellaroque, A, та інші
Опубліковано: (2017)

High‐Temperature Driven Recrystallization for Stable Dopant‐Free α‐FAPbI3 Perovskite Solar Cells
за авторством: Lingbo Xiao, та інші
Опубліковано: (2024-12-01)

Vacancies and dopants in two-dimensional tin monoxide: an ab initio study
за авторством: Kripalani, Devesh Raju, та інші
Опубліковано: (2022)

Effect of Pb dopant On A.C mechanism of ZnS thin films
за авторством: Salma M. Shaban
Опубліковано: (2019-02-01)

Reaction of N,N’-dimethylformamide and divalent viologen molecule to generate an organic dopant for molybdenum disulfide
за авторством: A. Fukui, та інші
Опубліковано: (2018-05-01)

Dopant mapping for the nanotechnology age.
за авторством: Castell, M, та інші
Опубліковано: (2003)

Synergistic promotion of nitrogen vacancies and single atomic dopants on Pt/C3N4 for photocatalytic hydrogen evolution
за авторством: Ai-Ping Yan, та інші
Опубліковано: (2024-08-01)

High-resolution scanning electron microscopy of dopants in p-i-n junctions with quantum wells
за авторством: Barkay, Z, та інші
Опубліковано: (2004)

Concentric dopant segregation in CVD-grown N-doped graphene single crystals
за авторством: Lin, Jinjun, та інші
Опубліковано: (2019)

Controlling dopant profiles in hyperdoped silicon by modifying dopant evaporation rates during pulsed laser melting
за авторством: Recht, Daniel, та інші
Опубліковано: (2013)

Role of Exciton Diffusion in the Efficiency of Mn Dopant Emission in Two-Dimensional Perovskites
за авторством: Alvaro J. Magdaleno, та інші
Опубліковано: (2024-11-01)