Highly efficient p-dopants in amorphous hosts

We study the influence of the molecular energy levels on doped organic layers, using four different combinations of two amorphous hosts (MeO-TPD and BF-DPB) and two efficient p-dopants (F6-TCNNQ and C60F36). Co...

תיאור מלא

מידע ביבליוגרפי
Main Authors:	Menke, T, Ray, D, Kleemann, H, Hein, M, Leo, K, Riede, M
פורמט:	Journal article
שפה:	English
יצא לאור:	Elsevier 2014

פריטים דומים

In-situ conductivity and Seebeck measurements of highly efficient n-dopants in fullerene C60
מאת: Menke, T, et al.
יצא לאור: (2012)

A comparison of two air-stable molecular n-dopants for C₆₀
מאת: Menke, T, et al.
יצא לאור: (2012)

Self-passivation of molecular n-type doping during air exposure using a highly efficient air-instable dopant
מאת: Tietze, M, et al.
יצא לאור: (2013)

Investigation of C60F36 as low-volatility p-dopant in organic optoelectronic devices
מאת: Meerheim, R, et al.
יצא לאור: (2011)

2-(2-Methoxyphenyl)-1,3-dimethyl-1H-benzoimidazol-3-ium iodide as a new air-stable n-type dopant for vacuum-processed organic semiconductor thin films.
מאת: Wei, P, et al.
יצא לאור: (2012)

Protic ionic liquids as p-dopant for organic hole transporting materials and their application in high efficiency hybrid solar cells.
מאת: Abate, A, et al.
יצא לאור: (2013)

Highly efficient semitransparent tandem organic solar cells with complementary absorber materials
מאת: Meiss, J, et al.
יצא לאור: (2011)

The electric field and dopant distribution in p-i-n structures observed by ionisation potential (dopant contrast) microscopy in the HRSEM
מאת: Grunbaum, E, et al.
יצא לאור: (2005)

TiO₂ band restructuring by B and P dopants
מאת: Sun, Chang Qing, et al.
יצא לאור: (2018)

High-resolution scanning electron microscopy of dopants in p-i-n junctions with quantum wells
מאת: Barkay, Z, et al.
יצא לאור: (2004)

Lithiation-induced amorphization of Pd3P2S8 for highly efficient hydrogen evolution
מאת: Zhang, Xiao, et al.
יצא לאור: (2020)

Publisher's note: "Highly efficient semitransparent tandem organic solar cells with complementary absorber materials" [Appl. Phys. Lett. 99, 043301 (2011)]
מאת: Meiss, J, et al.
יצא לאור: (2012)

Dopant-free planar n-i-p perovskite solar cells with steady-state efficiencies exceeding 18%
מאת: Habisreutinger, S, et al.
יצא לאור: (2017)

Dopant mapping for the nanotechnology age.
מאת: Castell, M, et al.
יצא לאור: (2003)

Efficient and stable perovskite solar cells using molybdenum tris(dithiolene)s as p-dopants for spiro-OMeTAD
מאת: Pellaroque, A, et al.
יצא לאור: (2017)

Exploiting diffusion currents at Ohmic contacts for trap characterization in organic semiconductors
מאת: Fischer, J, et al.
יצא לאור: (2014)

Structural phase transition in pentacene caused by molecular doping and its effect on charge carrier mobility
מאת: Kleemann, H, et al.
יצא לאור: (2012)

High phosphorous doped germanium: Dopant diffusion and modeling
מאת: Cai, Yan, et al.
יצא לאור: (2013)

Highly doped layers as efficient electron-hole recombination contacts for tandem organic solar cells
מאת: Timmreck, R, et al.
יצא לאור: (2010)

Dopant profile model in a shallow germanium n+/p junction
מאת: Baek, Jung Woo, et al.
יצא לאור: (2014)

A dopant‐free polymer as hole‐transporting material for highly efficient and stable perovskite solar cells
מאת: Li, Xianqiang, et al.
יצא לאור: (2020)

Optimising dopant concentration of hole transport layer to achieve high efficiency and stability perovskite solar cells
מאת: Lim, Yi Jun
יצא לאור: (2022)

Application of secondary electron dopant contrast imaging to InP/InGaAsP laser structures
מאת: Sealy, C, et al.
יצא לאור: (1997)

Dopant–dopant interactions in beryllium doped indium gallium arsenide: An ab initio study
מאת: Kulish, Vadym, et al.
יצא לאור: (2018)

Fermi level shift and doping efficiency in p-doped small molecule organic semiconductors: A photoelectron spectroscopy and theoretical study
מאת: Tietze, M, et al.
יצא לאור: (2012)

High-Efficiency Light-Emitting Diodes of Organometal Halide Perovskite Amorphous Nanoparticles
מאת: Xing, Jun, et al.
יצא לאור: (2017)

Amorphous Fe-Ni-P-B-O nanocages as efficient electrocatalysts for oxygen evolution reaction
מאת: Ren, Hao, et al.
יצא לאור: (2020)

Improving dopant incorporation during femtosecond-laser doping of Si with a Se thin-film dopant precursor
מאת: Smith, MJ, et al.
יצא לאור: (2013)

High thermoelectric performance by resonant dopant indium in nanostructured SnTe
מאת: Liao, Bolin, et al.
יצא לאור: (2014)

Capacitance of p- and n-doped graphenes is dominated by structural defects regardless of the dopant type
מאת: Ambrosi, Adriano, et al.
יצא לאור: (2014)

Controlling dopant profiles in hyperdoped silicon by modifying dopant evaporation rates during pulsed laser melting
מאת: Recht, Daniel, et al.
יצא לאור: (2013)

THEORY OF DOPANT SEGREGATION IN CERAMIC OXIDES
מאת: Egdell, R, et al.
יצא לאור: (1989)

Mechanism for secondary electron dopant contrast in the SEM
מאת: Sealy, C, et al.
יצא לאור: (2000)

Room-temperature ferromagnetism via unpaired dopant electrons and p-p coupling in carbon-doped In2O3 : experiment and theory
מאת: Kurmaev, E. Z., et al.
יצא לאור: (2013)

Electroabsorption studies of organic p-i-n solar cells: Increase of the built-in voltage by higher doping concentration in the hole transport layer
מאת: Siebert-Henze, E, et al.
יצא לאור: (2014)

Amorphous semiconductors /
מאת: Brosdsky, M. H.
יצא לאור: (1979)

High efficiency four wave mixing and optical bistability in amorphous silicon carbide ring resonators
מאת: Xing, Peng, et al.
יצא לאור: (2021)

Improving dopant incorporation during femtosecond-laser doping of Si with a Se thin-film dopant precursor
מאת: Sher, Meng-Ju, et al.
יצא לאור: (2017)

Influence of ionizing dopants on charge transport in organic semiconductors.
מאת: Abate, A, et al.
יצא לאור: (2014)