Citace podle APA (7th ed.)

Hess, S., Taylor, R., O'Sullivan, E., Ryan, J., Cain, N., Roberts, V., & Roberts, J. (1999). Hot carrier relaxation by extreme electron-LO phonon scattering in GaN.

Citace podle Chicago (17th ed.)

Hess, S., R. Taylor, E. O'Sullivan, J. Ryan, N. Cain, V. Roberts, a J. Roberts. Hot Carrier Relaxation by Extreme Electron-LO Phonon Scattering in GaN. 1999.

Citace podle MLA (9th ed.)

Hess, S., et al. Hot Carrier Relaxation by Extreme Electron-LO Phonon Scattering in GaN. 1999.

Upozornění: Tyto citace jsou generovány automaticky. Nemusí být zcela správně podle citačních pravidel..