Hot carrier relaxation by extreme electron-LO phonon scattering in GaN

Hot carrier relaxation by extreme electron-LO phonon scattering in GaN

Hiển thị phiên bản (1) khác

Hot carrier relaxation has been investigated in GaN using non-resonant femtosecond excitation where electrons are excited above and below the LO phonon energy. We observe remarkably rapid electron relaxation; the electron distribution is non-thermal, with a "cut-off" occurring near E-LO. I...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Hess, S, Taylor, R, O'Sullivan, E, Ryan, J, Cain, N, Roberts, V, Roberts, J
Định dạng:	Conference item
Được phát hành:	1999

Những quyển sách tương tự

Hot carrier relaxation by extreme electron-LO phonon scattering in GaN
Bằng: Hess, S, et al.
Được phát hành: (1999)

Hot carrier relaxation in GaN : LO phonon scattering and excitonic effects
Bằng: O'Sullivan, E, et al.
Được phát hành: (1999)

Hot carrier relaxation in GaN:LO phonon scattering and excitonic effects
Bằng: O'Sullivan, E, et al.
Được phát hành: (1999)

Hot phonons and non-thermal carrier states in GaN
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2002)

Hot phonons and non-thermal carrier states in GaN
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2002)

Hot carrier dynamics and carrier-phonon interaction in GaN
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2005)

The role of nonequilibrium LO phonons, Pauli exclusion, and intervalley pathways on the relaxation of hot carriers in InGaAs/InGaAsP multi-quantum-wells
Bằng: Yongjie Zou, et al.
Được phát hành: (2023-04-01)

Current relaxation due to hot carrier scattering in graphene
Bằng: Dong Sun, et al.
Được phát hành: (2012-01-01)

Time-resolved bandgap renormalization and gain in GaN epilayers
Bằng: Hess, S, et al.
Được phát hành: (1998)

Determination of the LO phonon energy by using electronic and optical methods in AlGaN/GaN
Bằng: Celik Ozlem, et al.
Được phát hành: (2012-04-01)

Modeling phonon thermal conductivity in spatially confined GaN nanofilms under stress fields and phonon surface scattering
Bằng: Linli Zhu, et al.
Được phát hành: (2019-01-01)

Matryoshka phonon twinning in α-GaN
Bằng: Bin Wei, et al.
Được phát hành: (2021-10-01)

Time-resolved spectroscopy of non-thermal carrier dynamics in GaN
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2006)

Time-resolved spectroscopy of non-thermal carrier dynamics in GaN
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2006)

Direct observation of femtosecond intervalley scattering in GaSb: Electron-phonon scattering and continuum coherent transients
Bằng: Smith, D, et al.
Được phát hành: (1997)

Potential of TiN/GaN Heterostructures for Hot Carrier Generation and Collection
Bằng: Blake S. Simpkins, et al.
Được phát hành: (2022-03-01)

MEASUREMENTS OF HOT CARRIER RELAXATION AND RECOMBINATION IN GaAs QUANTUM WELLS BY PICOSECOND OPTICAL PROBING.
Bằng: Ryan, J, et al.
Được phát hành: (1984)

Phonon dispersion of buckled two-dimensional GaN
Bằng: Zhenyu Zhang, et al.
Được phát hành: (2024-11-01)

Optical studies of GaN nanocolumns containing InGaN quantum disks and the effect of strain relaxation on the carrier distribution
Bằng: Holmes, M, et al.
Được phát hành: (2012)

Optical studies of GaN nanocolumns containing InGaN quantum disks and the effect of strain relaxation on the carrier distribution
Bằng: Holmes, M, et al.
Được phát hành: (2012)

M-plane GaN terahertz quantum cascade laser structure design and doping effect for resonant-phonon and phonon-scattering-injection schemes
Bằng: Fan Ye, et al.
Được phát hành: (2023-07-01)

Ultra-Short Lifetime of Intersubband Electrons in Resonance to GaN-Based LO-Phonons at 92 meV
Bằng: Daniel Hofstetter, et al.
Được phát hành: (2023-08-01)

Ultrafast relaxation of hot phonons in graphene-hBN heterostructures
Bằng: Dheeraj Golla, et al.
Được phát hành: (2017-05-01)

Fabrication and Characterization of Nano-porous GaN Template for Strain Relaxed GaN Growth
Bằng: Hartono, Haryono, et al.
Được phát hành: (2007)

COMPETITION BETWEEN LO AND TO PHONON-SCATTERING IN GAAS/GAALAS HETEROJUNCTIONS
Bằng: Brummell, M, et al.
Được phát hành: (1988)

Resonant LO phonon enhanced conductivity in GaAs-AlAs superlattices
Bằng: Dalton, K, et al.
Được phát hành: (2001)

Investigation of inter-valley scattering and hot phonon dynamics in GaAs quantum wells using femtosecond luminescence intensity correlation
Bằng: de Paula, A, et al.
Được phát hành: (1989)

Dephasing by optical phonons in GaN defect single-photon emitters
Bằng: Yifei Geng, et al.
Được phát hành: (2023-05-01)

Electron Scattering via Interface Optical Phonons with High Group Velocity in Wurtzite GaN-based Quantum Well Heterostructure
Bằng: Kihoon Park, et al.
Được phát hành: (2018-10-01)

Electric field dependence of optical phonon frequencies in wurtzite GaN observed in GaN high electron mobility transistors
Bằng: Dreyer, Cyrus E., et al.
Được phát hành: (2017)

CARRIER-CONCENTATION-DEPENDENT ELECTRON LO-PHONON COUPLING OBSERVED IN GAAS-(GA,AL)AS HETEROJUNCTIONS BY RESONANT-POLARON CYCLOTRON-RESONANCE
Bằng: Langerak, C, et al.
Được phát hành: (1988)

Interband excitation and carrier relaxation as displacive driving force for coherent phonons
Bằng: Garcia M.E., et al.
Được phát hành: (2013-03-01)

Analysis of Hot Carrier Degradation in 0.25-μm Schottky Gate AlGaN/GaN HEMTs
Bằng: Seong-In Cho, et al.
Được phát hành: (2022-05-01)

Lossless Phonon Transition Through GaN‐Diamond and Si‐Diamond Interfaces
Bằng: Mohamadali Malakoutian, et al.
Được phát hành: (2025-01-01)

Spin injection, relaxation, and manipulation in GaN-based semiconductors
Bằng: Zhenhao Sun, et al.
Được phát hành: (2023-12-01)

Phonon deformation potentials of hexagonal GaN studied by biaxial stress modulation
Bằng: Jun-Yong Lu, et al.
Được phát hành: (2011-09-01)

Carrier confinement effects of InxGa1-xN/GaN multi quantum disks with GaN surface barriers grown in GaN nanorods
Bằng: Park, Y, et al.
Được phát hành: (2018)

Quantifying the Plasmonic Generation Rate of Non‐Thermal Hot Carriers with an AlGaN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistor
Bằng: Chun‐Yu Li, et al.
Được phát hành: (2021-07-01)

Resonant Raman Scattering in Boron-Implanted GaN
Bằng: Yi Peng, et al.
Được phát hành: (2022-01-01)

Hyperfine-phonon spin relaxation in a single-electron GaAs quantum dot
Bằng: Leon C. Camenzind, et al.
Được phát hành: (2018-08-01)