Hot carrier relaxation by extreme electron-LO phonon scattering in GaN

Hot carrier relaxation by extreme electron-LO phonon scattering in GaN

Ցույց տալ այլ տարբերակներ (1)

Hot carrier relaxation has been investigated in GaN using non-resonant femtosecond excitation where electrons are excited above and below the LO phonon energy. We observe remarkably rapid electron relaxation; the electron distribution is non-thermal, with a "cut-off" occurring near E-LO. I...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Hess, S, Taylor, R, O'Sullivan, E, Ryan, J, Cain, N, Roberts, V, Roberts, J
Ձևաչափ: Conference item
Հրապարակվել է: 1999
Ցույց տալ բոլոր տարբերակները (2)

Նմանատիպ նյութեր