Пропуск в контексте
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Язык
Все поля
Заглавие
Автор
Предмет
Шифр
ISBN/ISSN
Метка
Найти
Расширенный поиск
Nucleation and growth of CoSi2...
Цитировать
Отправить по sms
Отправить на Email
Печать
Запись для экспорта
Экспорт в RefWorks
Экспорт в EndNoteWeb
Экспорт в EndNote
Постоянная ссылка
Nucleation and growth of CoSi2 dots on Si(001)
Библиографические подробности
Главные авторы:
Goldfarb, I
,
Briggs, G
Формат:
Conference item
Опубликовано:
1999
Фонды
Описание
Схожие документы
Marc-запись
Схожие документы
Reactive deposition epitaxy of CoSi2 nanostructures on Si(001): Nucleation and growth and evolution of dots during anneal
по: Goldfarb, I, и др.
Опубликовано: (1999)
Finite element analysis of CoSi2 nanocrystals on Si(001)
по: Goldfarb, I, и др.
Опубликовано: (2002)
Surface reconstructions on the (100) CoSi2 surface
по: Kenny, S, и др.
Опубликовано: (2000)
Nucleation, growth and size distributions of Ge islands on Si(001): in-situ STM studies
по: Goldfarb, I, и др.
Опубликовано: (1997)
Comparative STM and RHEED studies of Ge/Si(001) and Si/Ge/Si(001) surfaces
по: Goldfarb, I, и др.
Опубликовано: (1999)