Performance and design of InGaAs /InP photodiodes for single-photon counting at 1.55 microm.
The performance of selected, commercially available InGaAs/InP avalanche photodiodes operating in a photon-counting mode at an incident wavelength of 1.55 microm is described. A discussion on the optimum operating conditions and their relationship to the electric field distribution within the device...
Հիմնական հեղինակներ: | Hiskett, P, Buller, G, Loudon, A, Smith, J, Gontijo, I, Walker, A, Townsend, P, Robertson, M |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
2000
|
Նմանատիպ նյութեր
-
Low-noise single-photon detection at wavelength 1.55 mu m
: Hiskett, P, և այլն
Հրապարակվել է: (2001) -
Analytical Performance Modeling of InP-InGaAs Hetero-junction Avalanche Photodiode
: الهام كاضم أونيس
Հրապարակվել է: (2009-12-01) -
Balanced InP/InGaAs Photodiodes With 1.5-W Output Power
: Qiugui Zhou, և այլն
Հրապարակվել է: (2013-01-01) -
InP/InGaAs Photodetector on SOI Photonic Circuitry
: P. R. A. Binetti, և այլն
Հրապարակվել է: (2010-01-01) -
Electronic transport mechanism and defect states for p-InP/i-InGaAs/n-InP photodiodes
: Thi Kim Oanh Vu, և այլն
Հրապարակվել է: (2022-07-01)