Performance and design of InGaAs /InP photodiodes for single-photon counting at 1.55 microm.

Performance and design of InGaAs /InP photodiodes for single-photon counting at 1.55 microm.

The performance of selected, commercially available InGaAs/InP avalanche photodiodes operating in a photon-counting mode at an incident wavelength of 1.55 microm is described. A discussion on the optimum operating conditions and their relationship to the electric field distribution within the device...

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Hiskett, P, Buller, G, Loudon, A, Smith, J, Gontijo, I, Walker, A, Townsend, P, Robertson, M
Médium:	Journal article
Jazyk:	English
Vydáno:	2000

Podobné jednotky

Low-noise single-photon detection at wavelength 1.55 mu m
Autor: Hiskett, P, a další
Vydáno: (2001)

Analytical Performance Modeling of InP-InGaAs Hetero-junction Avalanche Photodiode
Autor: الهام كاضم أونيس
Vydáno: (2009-12-01)

Balanced InP/InGaAs Photodiodes With 1.5-W Output Power
Autor: Qiugui Zhou, a další
Vydáno: (2013-01-01)

InP/InGaAs Photodetector on SOI Photonic Circuitry
Autor: P. R. A. Binetti, a další
Vydáno: (2010-01-01)

Electronic transport mechanism and defect states for p-InP/i-InGaAs/n-InP photodiodes
Autor: Thi Kim Oanh Vu, a další
Vydáno: (2022-07-01)

MOCVD Growth and Fabrication of High Power MUTC Photodiodes Using InGaAs-InP System
Autor: Singh, Nandan, a další
Vydáno: (2016)

Characteristics and analysis of high speed InGaAs/InP uni-traveling-carrier photodiodes (UTC-PD)
Autor: Li, Mengqiong
Vydáno: (2015)

Accurate determination of impact ionization coefficient ratio and temperature dependence of InGaAs/InP avalanche photodiodes
Autor: Xu Ma, a další
Vydáno: (2024-06-01)

Theoretical Analysis of InGaAs/InAlAs Single-Photon Avalanche Photodiodes
Autor: Siyu Cao, a další
Vydáno: (2019-01-01)

InGaAs x-ray photodiode for spectroscopy
Autor: M D C Whitaker, a další
Vydáno: (2020-01-01)

Design Criteria for InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diode
Autor: Fabio Acerbi, a další
Vydáno: (2013-01-01)

InGaAsP/InP Nanocavity for Single-Photon Source at 1.55-μm Telecommunication Band
Autor: Hai-Zhi Song, a další
Vydáno: (2017-02-01)

Active Area Uniformity of InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diodes
Autor: A. Tosi, a další
Vydáno: (2011-01-01)

Lattice-matched InGaAs on InP thermophovoltaic cells
Autor: Tuley, R, a další
Vydáno: (2013)

Room temperature continuous frequency tuning InGaAs/InP single-photon detector
Autor: Huan Chen, a další
Vydáno: (2018-07-01)

InP and InGaAs grown on InP substrate by molecular beam epitaxy
Autor: Yu Hailong, a další
Vydáno: (2022-01-01)

Photon-Trapping Microstructure for InGaAs/Si Avalanche Photodiodes Operating at 1.31 μm
Autor: Hewei Zhang, a další
Vydáno: (2022-10-01)

Compact InGaAs/InP Single-Photon Detector Module with Ultra-Narrowband Interference Circuits
Autor: Zhengyu Yan, a další
Vydáno: (2023-01-01)

Gate-Free InGaAs/InP Single-Photon Detector Working at Up to 100 Mcount/s
Autor: Alberto Tosi, a další
Vydáno: (2013-01-01)

Illumination Induced Negative Differential Resistance in InGaAs Avalanche Photodiode
Autor: Afshan Khaliq, a další
Vydáno: (2024-01-01)

Theoretical Studies on InGaAs/InAlAs SAGCM Avalanche Photodiodes
Autor: Siyu Cao, a další
Vydáno: (2018-05-01)

The electrical and optical characterization of the InGaAs/InP alloy system
Autor: Towe, Elias D
Vydáno: (2005)

Interband Photoconductivity of Metamorphic InAs/InGaAs Quantum Dots in the 1.3–1.55-μm Window
Autor: Sergii Golovynskyi, a další
Vydáno: (2018-04-01)

Kerr nonlinearity and group velocity dispersion of InGaAs/InP and GaAsSb/InP waveguides in the mid-infrared
Autor: Kevin Zhang, a další
Vydáno: (2023-06-01)

InGaAs Communication Photodiodes: From Low- to High-Power-Level Designs
Autor: M. Achouche, a další
Vydáno: (2010-01-01)

High crosstalk suppression in InGaAs/InP single-photon avalanche diode arrays by carrier extraction structure
Autor: Yongsheng Tang, a další
Vydáno: (2024-01-01)

Dependence of Functional Parameters of Sine-Gated InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diodes on the Gating Parameters
Autor: Anton Losev, a další
Vydáno: (2022-01-01)

InAlAs/InGaAs/InP HEMTs with pseudomorphic Schottky barriers
Autor: Lee, Kenneth Sunghwan
Vydáno: (2007)

Dynamics of the kink effect in InAlAs/InGaAs/InP HEMTs
Autor: Ernst, Alexander N. (Alexander Nicolai)
Vydáno: (2008)

Optimization of InGaAs(P) photovoltaic cells lattice matched to InP
Autor: Emziane, M, a další
Vydáno: (2007)

Free-Running Single-Photon Detection via GHz Gated InGaAs/InP APD for High Time Resolution and Count Rate up to 500 Mcount/s
Autor: Wen Wu, a další
Vydáno: (2023-02-01)

InGaAs/AlInAsSb avalanche photodiodes with low noise and strong temperature stability
Autor: Bingtian Guo, a další
Vydáno: (2023-11-01)

An InGaAs/AlAsSb Avalanche Photodiode With a Small Temperature Coefficient of Breakdown
Autor: Jingjing Xie, a další
Vydáno: (2013-01-01)

Implementation and study of photovoltaic cells based on InP lattice-matched InGaAs and InGaAsP
Autor: Emziane, M, a další
Vydáno: (2007)

Epitaxy and characterization of InP/InGaAs tandem solar cells grown by MOVPE on InP and Si substrates
Autor: Soresi Stefano, a další
Vydáno: (2023-01-01)

Ultra-low spectral reflectances of InP Mie resonators on an InGaAs/InP focal plane array
Autor: Wei He, a další
Vydáno: (2020-06-01)

长波长高速InGaAs/InGaAsP/InP雪崩光电二极管
Autor: 李平, a další
Vydáno: (1986-01-01)

2.5 GHz Gated InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diode with 44 ps Time Jitter
Autor: De-Yong He, a další
Vydáno: (2023-01-01)

Surface roughness anisotopy on mismatched InAlAs/InGaAs/InP heterostructures
Autor: Sinn, Matthew T. (Matthew Thomas)
Vydáno: (2005)

Simulation and optimisation of terahertz emission from InGaAs and InP photoconductive switches
Autor: Lloyd-Hughes, J, a další
Vydáno: (2005)