ATOM PROBE STUDIES OF THE COMPOSITION OF LOW-TEMPERATURE OXIDES ON (100) SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE SURFACES
Pulsed laser atom probe microanalysis has been used to investigate the stoichiometry of low-temperature oxides on silicon and gallium arsenide. The composition of hydrophobic oxides grown on silicon after cleaning in hydrofluoric acid solutions is shown to tend to SiO as the oxide layer thickens. By...
Автори: | Grovenor, C, Cerezo, A |
---|---|
Формат: | Journal article |
Мова: | English |
Опубліковано: |
1989
|
Схожі ресурси
Схожі ресурси
-
PLASTICITY AND DISLOCATION MOBILITIES AT LOW-TEMPERATURE IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
за авторством: Demenet, J, та інші
Опубліковано: (1989) -
RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
за авторством: Wilshaw, P, та інші
Опубліковано: (1989) -
VLSI fabrication principles : silicon and gallium arsenide /
за авторством: 359597 Ghandi, Sorab K.
Опубліковано: (1994) -
VLSI fabrication principles: silicon and gallium arsenide/
за авторством: 359597 Ghandi, Sorab K.
Опубліковано: (1983) -
Gallium arsenide /
за авторством: Blakemore, John Sydney
Опубліковано: (1987)