ATOM PROBE STUDIES OF THE COMPOSITION OF LOW-TEMPERATURE OXIDES ON (100) SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE SURFACES

ATOM PROBE STUDIES OF THE COMPOSITION OF LOW-TEMPERATURE OXIDES ON (100) SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE SURFACES

Pulsed laser atom probe microanalysis has been used to investigate the stoichiometry of low-temperature oxides on silicon and gallium arsenide. The composition of hydrophobic oxides grown on silicon after cleaning in hydrofluoric acid solutions is shown to tend to SiO as the oxide layer thickens. By...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Grovenor, C, Cerezo, A
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	1989

Những quyển sách tương tự

PLASTICITY AND DISLOCATION MOBILITIES AT LOW-TEMPERATURE IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Bằng: Demenet, J, et al.
Được phát hành: (1989)

RECOMBINATION AT DISLOCATIONS IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Bằng: Wilshaw, P, et al.
Được phát hành: (1989)

VLSI fabrication principles : silicon and gallium arsenide /
Bằng: 359597 Ghandi, Sorab K.
Được phát hành: (1994)

VLSI fabrication principles: silicon and gallium arsenide/
Bằng: 359597 Ghandi, Sorab K.
Được phát hành: (1983)

Gallium arsenide /
Bằng: Blakemore, John Sydney
Được phát hành: (1987)

Atomic and electronic structure of grain boundaries in gallium arsenide
Bằng: Krishna, S, et al.
Được phát hành: (1994)

FRACTURE AND CRACK TIP PLASTICITY IN SILICON AND GALLIUM-ARSENIDE
Bằng: Michot, G, et al.
Được phát hành: (1989)

First measurement of Gallium Arsenide as a low-temperature calorimeter
Bằng: D. L. Helis, et al.
Được phát hành: (2024-07-01)

Gallium arsenide : proceedings /
Bằng: International Gallium Arsenide Symposium, (2nd : 1968 Dallas, Texas), et al.
Được phát hành: (1969)

Gallium interstitial contributions to diffusion in gallium arsenide
Bằng: Joseph T. Schick, et al.
Được phát hành: (2011-09-01)

MOBILITY OF DISLOCATIONS IN GALLIUM-ARSENIDE
Bằng: Alexander, H, et al.
Được phát hành: (1989)

Elevated temperature stability of gallium arsenide integrated circuits
Bằng: Braun, Eric
Được phát hành: (2007)

Dielectric films on gallium arsenide /
Bằng: 351413 Croydon, W. F., et al.
Được phát hành: (1981)

Gallium arsenide and related compounds,
Bằng: International Symposium on Gallium Arsenide and related compounds (5th : 1974 : Deauville), et al.
Được phát hành: (1975)

Gallium arsenide and related compounds /
Bằng: 472172 International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (13th : 1986 : Las Vegas), et al.
Được phát hành: (1987)

Gallium arsenide and related compounds /
Bằng: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (6th, 1976 : Edinburg), et al.
Được phát hành: (1977)

Experiments in gallium arsenide technology /
Bằng: 225814 Branning, D. J., et al.
Được phát hành: (1988)

Temperature dependence of the optical absorption edge of doped gallium arsenide
Bằng: Ig. Iv. Chychura, et al.
Được phát hành: (2020-06-01)

Gallium arsenide nanoparticles: synthesis and characterisation
Bằng: Malik, M, et al.
Được phát hành: (2003)

Growth rate gallium arsenide nanowires /
Bằng: Rosnita Muhammad, 1972-, author, et al.
Được phát hành: (2009)

Gallium arsenide and related compounds 1985 /
Bằng: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (12th : 1985 : Karuizawa, Japan)
Được phát hành: (1986)

Gallium arsenide and related compounds : proccedings /
Bằng: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (6th : 1976 : St. Louis), et al.
Được phát hành: (1977)

Gallium arsenide and related compounds : proceedings
Bằng: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (4th : 1972 : Boulder, Colorado)
Được phát hành: (1973)

Gallium arsenide and related compounds, 1978 /
Bằng: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds (7th : 1978 : St. Louis), et al.
Được phát hành: (1979)

Gallium arsenide and related compounds : proceedings /
Bằng: International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds, (3rd : 1970 : Aachen), et al.
Được phát hành: (1971)

OSILATOR BERBASIS GALLIUM ARSENIDE (GaAs)
Bằng: Andreas Ardian Febrianto
Được phát hành: (2014-04-01)

Low temperature electron irradiation induced defects in gallium-arsenide : bulk and surface acoustic wave studies / [mikrofilem]
Bằng: 406635 Brophy, Martin Joseph

THE CHARACTERIZATION OF SILICON SURFACES BY TIME-OF-FLIGHT ATOM PROBE ANALYSIS
Bằng: Grovenor, C, et al.
Được phát hành: (1982)

Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI
Bằng: S. P. Novosyadliy, et al.
Được phát hành: (2020-06-01)

Synthesis of Polytypic Gallium Phosphide and Gallium Arsenide Nanowires and Their Application as Photodetectors
Bằng: Kidong Park, et al.
Được phát hành: (2019-02-01)

Gallium arsenide pixel detectors for medical imaging
Bằng: DaVia, C, et al.
Được phát hành: (1997)

Gallium arsenide : proceedings of the international symposium [mikrofis]
Bằng: Institute of Physics (Great Britain)
Được phát hành: (1966)

Gallium arsenide digital integrated circuit design /
Bằng: 341681 Long, Stephen I., et al.
Được phát hành: (c199)

Electronic structure simulation of gallium arsenide clusters
Bằng: Musa, Nor Muniroh
Được phát hành: (2009)

Electronic structure simulation of gallium arsenide clusters /
Bằng: Nor Muniroh Musa, 1982-, et al.
Được phát hành: (2009)

Gallium arsenide IC technology : principles and practice /
Bằng: 231019 Sclater, Neil
Được phát hành: (1988)

SURFACE-ANALYSIS WITH A POSITION-SENSITIVE ATOM PROBE
Bằng: Cerezo, A, et al.
Được phát hành: (1989)

ATOM PROBE ANALYSIS OF A CERAMIC OXIDE SUPERCONDUCTOR
Bằng: Cerezo, A, et al.
Được phát hành: (1988)

Light depolarization effects in tip enhanced Raman spectroscopy of silicon (001) and gallium arsenide (001)
Bằng: P. G. Gucciardi, et al.
Được phát hành: (2011-09-01)

Growth of Gold-assisted Gallium Arsenide Nanowires on Silicon Substrates via Molecular Beam Epitaxy
Bằng: Ramon M. delos Santos, et al.
Được phát hành: (2008-06-01)