Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.

Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.

A systematic investigation of the Au catalyst-assisted growth of epitaxial InAs nanowires (NW) on GaAs substrates was presented. Scanning electron microscopy (SEM) images of InAs NWs with different growth times show no vertical NWs in the sample with 1 min growth of InAs. High resolution transmissio...

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	Zhang, X, Zou, J, Paladugu, M, Guo, Y, Wang, Y, Kim, Y, Joyce, H, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C
Médium:	Journal article
Jazyk:	English
Vydáno:	2009

Podobné jednotky

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2008)

Evolution of wurtzite structured GaAs shells around InAs nanowire cores
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2009)

Formation of hierarchical InAs nanoring/GaAs nanowire heterostructures.
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2009)

Polarity driven formation of InAs/GaAs hierarchical nanowire heterostructures
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2008)

Evolution of Wurtzite Structured GaAs Shells Around InAs Nanowire Cores
Autor: Kim Y, a další
Vydáno: (2009-01-01)

Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2006)

Novel growth phenomena observed in axial InAs/GaAs nanowire heterostructures.
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2007)

Crystallographically driven Au catalyst movement during growth of InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2009)

Evolution of InAs branches in InAsGaAs nanowire heterostructures
Autor: Paladugu, M, a další
Vydáno: (2007)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2011)

Growth of straight InAs-on-GaAs nanowire heterostructures
Autor: Messing, M, a další
Vydáno: (2011)

Twin-free uniform epitaxial GaAs nanowires grown by a two-temperature process.
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2007)

Growth mechanism of truncated triangular GaAs nanowires
Autor: Zou, J, a další
Vydáno: (2006)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2013)

Self-healing of fractured GaAs nanowires.
Autor: Wang, Y, a další
Vydáno: (2011)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2007)

Super deformability and Young's modulus of GaAs nanowires.
Autor: Wang, Y, a další
Vydáno: (2011)

Vertically standing Ge nanowires on GaAs(110) substrates
Autor: Song, MS, a další
Vydáno: (2008)

EFFECT OF MORPHOLOGY ON ELECTRONIC PROPERTIES OF THE <111> -ORIENTED GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP AND InSb NANOWIRES
Autor: D. A. Yatsyna, a další
Vydáno: (2019-06-01)

Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2006)

Studies of InAs and GaAs layers prepared by molecular beam epitaxy
Autor: Grange, John David
Vydáno: (1980)

On the growth of (100) GaAs and (100) InAs by molecular beam epitaxy
Autor: Newstead, Simon Marc
Vydáno: (1987)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2010)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2011)

Growth, structural and optical properties of high quality gaAs nanowires for optoelectronics
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2008)

Understanding the true shape of Au-catalyzed GaAs nanowires.
Autor: Jiang, N, a další
Vydáno: (2014)

Influence of nanowire density on the shape and optical properties of ternary InGaAs nanowires.
Autor: Kim, Y, a další
Vydáno: (2006)

High Purity GaAs Nanowires Free of Planar Defects: Growth and Characterization
Autor: Joyce, H, a další
Vydáno: (2008)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
Autor: Jackson, H, a další
Vydáno: (2008)

Transient terahertz conductivity of GaAs nanowires
Autor: Parkinson, P, a další
Vydáno: (2007)

Micromagnetic properties of MnAs(0001)/GaAs(111) epitaxial films
Autor: Engel-Herbert, R, a další
Vydáno: (2006)

Precursor flow rate manipulation for the controlled fabrication of twin-free GaAs nanowires on silicon substrates.
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2012)

Electrical and Optical Properties of Au-Catalyzed GaAs Nanowires Grown on Si (111) Substrate by Molecular Beam Epitaxy
Autor: Chiu-Yen Wang, a další
Vydáno: (2017-04-01)

Improvement of morphology, structure, and optical properties of GaAs nanowires grown on Si substrates
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2010)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
Autor: Wang, H, a další
Vydáno: (2012)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
Autor: Titova, L, a další
Vydáno: (2006)

Structural and optical characterization of vertical GaAs/GaP core-shell nanowires grown on Si substrates
Autor: Kang, J, a další
Vydáno: (2010)

InAs/GaAs quantum dots on germanium-on-insulator-on-silicon substrates (GeOI) using molecular beam epitaxy
Autor: Fitzgerald, Eugene A., a další
Vydáno: (2013)

Spatially-resolved photoluminescence imaging of CdS and GaAs/AlGaAs nanowires
Autor: Smith, L, a další
Vydáno: (2007)