Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.

Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.

A systematic investigation of the Au catalyst-assisted growth of epitaxial InAs nanowires (NW) on GaAs substrates was presented. Scanning electron microscopy (SEM) images of InAs NWs with different growth times show no vertical NWs in the sample with 1 min growth of InAs. High resolution transmissio...

Volledige beschrijving

Bibliografische gegevens
Hoofdauteurs:	Zhang, X, Zou, J, Paladugu, M, Guo, Y, Wang, Y, Kim, Y, Joyce, H, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C
Formaat:	Journal article
Taal:	English
Gepubliceerd in:	2009

Gelijkaardige items

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Evolution of wurtzite structured GaAs shells around InAs nanowire cores
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Formation of hierarchical InAs nanoring/GaAs nanowire heterostructures.
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Polarity driven formation of InAs/GaAs hierarchical nanowire heterostructures
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Evolution of Wurtzite Structured GaAs Shells Around InAs Nanowire Cores
door: Kim Y, et al.
Gepubliceerd in: (2009-01-01)

Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

Novel growth phenomena observed in axial InAs/GaAs nanowire heterostructures.
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Crystallographically driven Au catalyst movement during growth of InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2009)

Evolution of InAs branches in InAsGaAs nanowire heterostructures
door: Paladugu, M, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Growth of straight InAs-on-GaAs nanowire heterostructures
door: Messing, M, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Twin-free uniform epitaxial GaAs nanowires grown by a two-temperature process.
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Growth mechanism of truncated triangular GaAs nanowires
door: Zou, J, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2013)

Self-healing of fractured GaAs nanowires.
door: Wang, Y, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Super deformability and Young's modulus of GaAs nanowires.
door: Wang, Y, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Vertically standing Ge nanowires on GaAs(110) substrates
door: Song, MS, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

EFFECT OF MORPHOLOGY ON ELECTRONIC PROPERTIES OF THE <111> -ORIENTED GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP AND InSb NANOWIRES
door: D. A. Yatsyna, et al.
Gepubliceerd in: (2019-06-01)

Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Understanding the true shape of Au-catalyzed GaAs nanowires.
door: Jiang, N, et al.
Gepubliceerd in: (2014)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2011)

Studies of InAs and GaAs layers prepared by molecular beam epitaxy
door: Grange, John David
Gepubliceerd in: (1980)

On the growth of (100) GaAs and (100) InAs by molecular beam epitaxy
door: Newstead, Simon Marc
Gepubliceerd in: (1987)

Growth, structural and optical properties of high quality gaAs nanowires for optoelectronics
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Influence of nanowire density on the shape and optical properties of ternary InGaAs nanowires.
door: Kim, Y, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

High Purity GaAs Nanowires Free of Planar Defects: Growth and Characterization
door: Joyce, H, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
door: Jackson, H, et al.
Gepubliceerd in: (2008)

Transient terahertz conductivity of GaAs nanowires
door: Parkinson, P, et al.
Gepubliceerd in: (2007)

Precursor flow rate manipulation for the controlled fabrication of twin-free GaAs nanowires on silicon substrates.
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
door: Wang, H, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Improvement of morphology, structure, and optical properties of GaAs nanowires grown on Si substrates
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Micromagnetic properties of MnAs(0001)/GaAs(111) epitaxial films
door: Engel-Herbert, R, et al.
Gepubliceerd in: (2006)

Structural and optical characterization of vertical GaAs/GaP core-shell nanowires grown on Si substrates
door: Kang, J, et al.
Gepubliceerd in: (2010)

Picosecond carrier lifetime measurements on a single GaAs Nanowire
door: Parkinson, P, et al.
Gepubliceerd in: (2012)

Electrical and Optical Properties of Au-Catalyzed GaAs Nanowires Grown on Si (111) Substrate by Molecular Beam Epitaxy
door: Chiu-Yen Wang, et al.
Gepubliceerd in: (2017-04-01)

Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers
door: Saxena, D, et al.
Gepubliceerd in: (2013)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
door: Titova, L, et al.
Gepubliceerd in: (2006)