Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.

Evolution of epitaxial InAs nanowires on GaAs 111B.

A systematic investigation of the Au catalyst-assisted growth of epitaxial InAs nanowires (NW) on GaAs substrates was presented. Scanning electron microscopy (SEM) images of InAs NWs with different growth times show no vertical NWs in the sample with 1 min growth of InAs. High resolution transmissio...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Zhang, X, Zou, J, Paladugu, M, Guo, Y, Wang, Y, Kim, Y, Joyce, H, Gao, Q, Tan, H, Jagadish, C
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	2009

Những quyển sách tương tự

Nature of heterointerfaces in GaAs/InAs and InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2008)

Evolution of wurtzite structured GaAs shells around InAs nanowire cores
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2009)

Formation of hierarchical InAs nanoring/GaAs nanowire heterostructures.
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2009)

Polarity driven formation of InAs/GaAs hierarchical nanowire heterostructures
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2008)

Evolution of Wurtzite Structured GaAs Shells Around InAs Nanowire Cores
Bằng: Kim Y, et al.
Được phát hành: (2009-01-01)

Understanding the kink formation in GaAs/InAs heterostructural nanowires
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2006)

Novel growth phenomena observed in axial InAs/GaAs nanowire heterostructures.
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2007)

Crystallographically driven Au catalyst movement during growth of InAs/GaAs axial nanowire heterostructures
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2009)

Evolution of InAs branches in InAsGaAs nanowire heterostructures
Bằng: Paladugu, M, et al.
Được phát hành: (2007)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs nanowires for optoelectronic device applications
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2011)

Tailoring GaAs, InAs, and InGaAs Nanowires for Optoelectronic Device Applications
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2011)

Growth of straight InAs-on-GaAs nanowire heterostructures
Bằng: Messing, M, et al.
Được phát hành: (2011)

Twin-free uniform epitaxial GaAs nanowires grown by a two-temperature process.
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2007)

Growth mechanism of truncated triangular GaAs nanowires
Bằng: Zou, J, et al.
Được phát hành: (2006)

Electronic properties of GaAs, InAs and InP nanowires studied by terahertz spectroscopy.
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2013)

Self-healing of fractured GaAs nanowires.
Bằng: Wang, Y, et al.
Được phát hành: (2011)

Growth, structural and optical properties of GaAs, InGaAs and AlGaAs nanowires and nanowire heterostruetures
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2007)

Super deformability and Young's modulus of GaAs nanowires.
Bằng: Wang, Y, et al.
Được phát hành: (2011)

Vertically standing Ge nanowires on GaAs(110) substrates
Bằng: Song, MS, et al.
Được phát hành: (2008)

EFFECT OF MORPHOLOGY ON ELECTRONIC PROPERTIES OF THE <111> -ORIENTED GaAs, GaP, GaSb, InAs, InP AND InSb NANOWIRES
Bằng: D. A. Yatsyna, et al.
Được phát hành: (2019-06-01)

Optimised two-temperature growth of GaAs nanowire s by metalorganic chemical vapour deposition
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2006)

Novel growth and properties of GaAs nanowires on Si substrates.
Bằng: Kang, J, et al.
Được phát hành: (2010)

Understanding the true shape of Au-catalyzed GaAs nanowires.
Bằng: Jiang, N, et al.
Được phát hành: (2014)

Defect-Free GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires on Si Substrates
Bằng: Kang, J, et al.
Được phát hành: (2011)

Studies of InAs and GaAs layers prepared by molecular beam epitaxy
Bằng: Grange, John David
Được phát hành: (1980)

On the growth of (100) GaAs and (100) InAs by molecular beam epitaxy
Bằng: Newstead, Simon Marc
Được phát hành: (1987)

Growth, structural and optical properties of high quality gaAs nanowires for optoelectronics
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2008)

Influence of nanowire density on the shape and optical properties of ternary InGaAs nanowires.
Bằng: Kim, Y, et al.
Được phát hành: (2006)

High Purity GaAs Nanowires Free of Planar Defects: Growth and Characterization
Bằng: Joyce, H, et al.
Được phát hành: (2008)

Optical properties of single InP and GaAs nanowire heterostructures
Bằng: Jackson, H, et al.
Được phát hành: (2008)

Transient terahertz conductivity of GaAs nanowires
Bằng: Parkinson, P, et al.
Được phát hành: (2007)

Precursor flow rate manipulation for the controlled fabrication of twin-free GaAs nanowires on silicon substrates.
Bằng: Kang, J, et al.
Được phát hành: (2012)

Optoelectronic properties of GaAs nanowire photodetector
Bằng: Wang, H, et al.
Được phát hành: (2012)

Improvement of morphology, structure, and optical properties of GaAs nanowires grown on Si substrates
Bằng: Kang, J, et al.
Được phát hành: (2010)

Micromagnetic properties of MnAs(0001)/GaAs(111) epitaxial films
Bằng: Engel-Herbert, R, et al.
Được phát hành: (2006)

Structural and optical characterization of vertical GaAs/GaP core-shell nanowires grown on Si substrates
Bằng: Kang, J, et al.
Được phát hành: (2010)

Picosecond carrier lifetime measurements on a single GaAs Nanowire
Bằng: Parkinson, P, et al.
Được phát hành: (2012)

Electrical and Optical Properties of Au-Catalyzed GaAs Nanowires Grown on Si (111) Substrate by Molecular Beam Epitaxy
Bằng: Chiu-Yen Wang, et al.
Được phát hành: (2017-04-01)

Optically pumped room-temperature GaAs nanowire lasers
Bằng: Saxena, D, et al.
Được phát hành: (2013)

Temperature dependence of photoluminescence from single core-shell GaAs-AlGaAs nanowires
Bằng: Titova, L, et al.
Được phát hành: (2006)