InGaN super-lattice growth for fabrication of quantum dot containing microdisks

InGaN super-lattice growth for fabrication of quantum dot containing microdisks

Zobrazit další vydání (1)

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři:	El-Ella, H, Rol, F, Collins, D, Kappers, M, Taylor, R, Hu, E, Oliver, R
Médium:	Journal article
Vydáno:	2011

Podobné jednotky

InGaN super-lattice growth for fabrication of quantum dot containing microdisks
Autor: El-Ella, H, a další
Vydáno: (2011)

Growth and optical characterisation of multilayers of InGaN quantum dots
Autor: Zhu, T, a další
Vydáno: (2012)

Dynamics of single InGaN quantum dots
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (2004)

Electrically driven single InGaN/GaN quantum dot emission
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2008)

Growth of InGaN quantum dots with AlGaN barrier layers via modified droplet epitaxy
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2013)

Two-photon autocorrelation measurements on a single InGaN/GaN quantum dot.
Autor: Collins, D, a další
Vydáno: (2009)

Non-linear excitation and correlation studies of single InGaN quantum dots
Autor: Collins, D, a další
Vydáno: (2009)

Non-linear excitation and correlation studies of single InGaN quantum dots
Autor: Collins, D, a další
Vydáno: (2009)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2007)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot.
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2007)

Time-resolved dynamics in single InGaN quantum dots
Autor: Robinson, J, a další
Vydáno: (2003)

Temporal variation in photoluminescence from single InGaN quantum dots
Autor: Rice, J, a další
Vydáno: (2004)

Simulation of the quantum-confined stark effect in a single InGaN quantum dot
Autor: Lee, K, a další
Vydáno: (2004)

Two-photon absorption from single InGaN/GaN quantum dots
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2006)

Optical studies of non-linear absorption in single InGaN/GaN quantum dots
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2007)

Growth of InGaN quantum dots on GaN by MOVPE, employing a growth temperature nitrogen anneal
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2003)

Cavity-enhanced blue single-photon emission from a single InGaN/GaN quantum dot
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2007)

Photoluminescence studies of exciton recombination and dephasing in single InGaN quantum dots
Autor: Rice, J, a další
Vydáno: (2004)

Time-resolved dynamics in single InGaN quantum dots
Autor: Taylor, R, a další
Vydáno: (2005)

InGaN quantum dots grown by MOVPE via a droplet epitaxy route
Autor: Rice, J, a další
Vydáno: (2004)

Time-integrated and time-resolved photoluminescence studies of InGaN quantum dots
Autor: Robinson, J, a další
Vydáno: (2004)

Progress in the optical studies of single InGaN/GaN quantum dots
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2007)

Growth and assessment of InGaN quantum dots in a microcavity: A blue single photon source
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2008)

Optical cavity efficacy and lasing of focused ion beam milled GaN/InGaN micropillars
Autor: El-Ella, H, a další
Vydáno: (2012)

Experimental and theoretical study of the quantum-confined Stark effect in a single InGaN/GaN quantum dot under applied vertical electric field
Autor: Jarjour, A, a další
Vydáno: (2008)

High temperature stability in non-polar (11-20) InGaN quantum dots: Exciton and biexciton dynamics
Autor: Reid, B, a další
Vydáno: (2014)

Temperature-dependent fine structure splitting in InGaN quantum dots
Autor: Wang, T, a další
Vydáno: (2017)

Quantum-confined Stark effect in a single InGaN quantum dot under a lateral electric field
Autor: Robinson, J, a další
Vydáno: (2005)

Quantum-confined Stark effect in a single InGaN quantum dot under a lateral electric field
Autor: Robinson, J, a další
Vydáno: (2005)

InGaN quantum dots grown by metalorganic vapor phase epitaxy employing a post-growth nitrogen anneal
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2003)

Luminescence properties of isolated InGaN/GaN quantum dots
Autor: Martin, R, a další
Vydáno: (2005)

Non-polar (11-20) InGaN quantum dots with short exciton lifetimes grown by metal-organic vapor phase epitaxy
Autor: Zhu, T, a další
Vydáno: (2013)

Three-photon excitation of InGaN quantum dots
Autor: Villafane, V, a další
Vydáno: (2023)

Origins of Spectral Diffusion in the Micro-Photoluminescence of Single InGaN Quantum Dots
Autor: Reid, B, a další
Vydáno: (2013)

Carrier localization mechanisms in InGaN/GaN quantum wells
Autor: Watson-Parris, D, a další
Vydáno: (2011)

Theoretical and experimental analysis of radiative recombination lifetimes in nonpolar InGaN/GaN quantum dots
Autor: Kanta Patra, S, a další
Vydáno: (2017)

Observations of Rabi oscillations in a non-polar InGaN quantum dot
Autor: Reid, B, a další
Vydáno: (2014)

Microstructural origins of localization in InGaN quantum wells
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2010)

InGaN quantum dots for micro-LEDs
Autor: Lai Wang, a další
Vydáno: (2024-10-01)

Growth modes in heteroepitaxy of InGaN on GaN
Autor: Oliver, R, a další
Vydáno: (2005)