The formation mechanism of aluminum oxide tunnel barriers: Three-dimensional atom probe analysis

Magnetic tunnel junctions have applications in a range of spin-electronic devices. The functional properties of such devices are critically dependant on the nanoscale morphology of the insulating barrier (usually only a few atomic layers thick) that separates two ferromagnetic layers. Here we report...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính: Petford-Long, A, Ma, Y, Cerezo, A, Larson, D, Singleton, E, Karr, B
Định dạng: Journal article
Ngôn ngữ:English
Được phát hành: 2005

Những quyển sách tương tự