Dynamics of resonantly excited excitons in GaN

Dynamics of resonantly excited excitons in GaN

Hiển thị phiên bản (1) khác

We present resonant fs pump-probe reflectance measurements of excitons in wurtzite GaN epilayers at different lattice temperatures. At 4 K we find that the exciton dynamics is dominated by trapping at defects via acoustic-phonon emission on a time scale of 16 ps. At temperatures above 60 K we observ...

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Hess, S, Walraet, F, Taylor, R, Ryan, J, Beaumont, B, Gibart, P
Định dạng:	Journal article
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	1998

Những quyển sách tương tự

Dynamics of resonantly excited excitons in GaN
Bằng: Hess, S, et al.
Được phát hành: (1998)

Femtosecond exciton dynamics and the Mott transition in GaN under resonant excitation
Bằng: Hess, S, et al.
Được phát hành: (1999)

Femtosecond exciton dynamics and the mott transition in GaN under resonant excitation
Bằng: Hess, S, et al.
Được phát hành: (1999)

Coherent exciton-biexciton dynamics in GaN
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2002)

Coherent exciton-biexciton dynamics in GaN
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2002)

Quantum beats of free and bound excitons in GaN
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2001)

Quantum beats of free and bound excitons in GaN
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2001)

Optical gain in GaN epilayers
Bằng: Hess, S, et al.
Được phát hành: (1998)

Optical gain in GaN epilayers
Bằng: Hess, S, et al.
Được phát hành: (1998)

Comparison of exciton-biexciton with bound exciton-biexciton dynamics in GaN: Quantum beats and temperature dependence of the acoustic-phonon interaction
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2001)

Comparison of exciton-biexciton with bound exciton-biexciton dynamics in GaN: Quantum beats and temperature dependence of the acoustic-phonon interaction
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2001)

Stimulated emission and excitonic bleaching in GaN epilayers under high-density excitation
Bằng: Taylor, R, et al.
Được phát hành: (1999)

Time-resolved bandgap renormalization and gain in GaN epilayers
Bằng: Hess, S, et al.
Được phát hành: (1998)

Electron-hole plasma mott transition and stimulated emission in GaN
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2004)

Electron-hole plasma mott transition and stimulated emission in GaN
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2004)

Effects of Surface Recombination on Exciton Dynamics in GaN Nanorods
Bằng: Park, Y, et al.
Được phát hành: (2009)

Hot carrier relaxation in GaN : LO phonon scattering and excitonic effects
Bằng: O'Sullivan, E, et al.
Được phát hành: (1999)

Direct observation of the core structures of threading dislocations in GaN
Bằng: Xin, Y, et al.
Được phát hành: (1998)

Dependence of GaN Exciton Energy on Temperature
Bằng: Xiancheng Liu, et al.
Được phát hành: (2025-01-01)

Free excitons with n=2 in bulk GaN
Bằng: Steube, M, et al.
Được phát hành: (1997)

GaN nanorods grown on Si (111) substrates and exciton localization.
Bằng: Park, Y, et al.
Được phát hành: (2011)

Enhanced excitonic emission efficiency in porous GaN
Bằng: Thi Huong Ngo, et al.
Được phát hành: (2018-10-01)

GaN nanorods grown on Si (111) substrates and exciton localization
Bằng: Park, Y, et al.
Được phát hành: (2011)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot
Bằng: Jarjour, A, et al.
Được phát hành: (2007)

Control of the oscillator strength of the exciton in a single InGaN-GaN quantum dot.
Bằng: Jarjour, A, et al.
Được phát hành: (2007)

GaN nanorods grown on Si (111) substrates and exciton localization
Bằng: Holmes Mark, et al.
Được phát hành: (2011-01-01)

Many-Body Calculations of Excitons in Two-Dimensional GaN
Bằng: Yachao Zhang
Được phát hành: (2023-07-01)

Non-equilibrium carrier dynamics and many body effects in highly excited GaN
Bằng: Kyhm, K, et al.
Được phát hành: (2011)

Two-photon excitation of asymmetric GaN/AlGaN quantum discs
Bằng: Lee, K, et al.
Được phát hành: (2007)

Two-dimensional exciton behavior in GaN nanocolumns grown by molecular-beam epitaxy
Bằng: Na, J, et al.
Được phát hành: (2005)

Two-dimensional exciton behavior in GaN nanocolumns grown by molecular-beam epitaxy
Bằng: Na, J, et al.
Được phát hành: (2005)

Exciton binding energies and band gaps in GaN bulk crystals
Bằng: Reimann, K, et al.
Được phát hành: (1998)

Comparison of exciton optical nonlinearities for resonant and non-resonant excitation
Bằng: Kyhn, K, et al.
Được phát hành: (2007)

Single-Exciton Photoluminescence in a GaN Monolayer inside an AlN Nanocolumn
Bằng: Eugenii Evropeitsev, et al.
Được phát hành: (2023-07-01)

On the effect of N-GaN/P-GaN/N-GaN/P-GaN/N-GaN built-in junctions in the n-GaN layer for InGaN/GaN light-emitting diodes
Bằng: Kyaw, Zabu, et al.
Được phát hành: (2014)

Two-photon excitation spectroscopy of coupled asymmetric GaN/AlGaN quantum discs
Bằng: Lee, K, et al.
Được phát hành: (2006)

Effect of Eu-implantation and annealing on the GaN quantum dots excitonic recombination
Bằng: Alves Eduardo, et al.
Được phát hành: (2011-01-01)

Importance of the dielectric contrast for the polarization of excitonic transitions in single GaN nanowires
Bằng: Pierre Corfdir, et al.
Được phát hành: (2015-01-01)

The low temperature limit of the excitonic Mott density in GaN: an experimental reassessment
Bằng: Léo Mallet-Dida, et al.
Được phát hành: (2022-01-01)

Magnetophotoluminescence of GaN/AlxGa1-xN quantum wells: Valence band reordering and excitonic binding energies
Bằng: Shields, P, et al.
Được phát hành: (2001)