Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Sprog
Alle Felter
Titel
Forfatter
Fag
Klassifikationsnummer
ISBN/ISSN
Tag
Find
Udvidet
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED...
Citér dette
Stav dette
Email dette
Udskriv
Eksportér post
Eksportér til RefWorks
Eksportér til EndNoteWeb
Eksportér til EndNote
Permanent link
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
Show other versions (1)
Bibliografiske detaljer
Main Authors:
Mallard, R
,
Wilshaw, P
,
Mason, N
,
Walker, P
,
Booker, G
Format:
Journal article
Udgivet:
1989
Beholdninger
Beskrivelse
Other Versions (1)
Lignende værker
Medarbejdervisning
Beskrivelse
Summary:
Lignende værker
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
af: Mallard, R, et al.
Udgivet: (1989)
GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
af: Chidley, E, et al.
Udgivet: (1989)
GASB GAINSB QUANTUM WELLS GROWN BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
af: Haywood, S, et al.
Udgivet: (1989)
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
af: Warburton, R, et al.
Udgivet: (1991)
PHOTOLUMINESCENCE OF GASB GROWN BY METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
af: Chidley, E, et al.
Udgivet: (1991)