Անցեք բովանդակությանը
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文(繁體)
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Լեզու
Բոլոր դաշտերը
Վերնագիր
Հեղինակ
Խորագիր
Դասիչ
ISBN/ISSN
Ցուցիչ
Գտեք
Ընդլայնված
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED...
Վկայակոչեք սա
Գրեք սա
Էլփոստով ուղարկեք սա
Տպել
Արտահանել գրառումը
Արտահանել դեպի RefWorks
Արտահանել դեպի EndNoteWeb
Արտահանել դեպի EndNote
Մշտական հղում
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
Ցույց տալ այլ տարբերակներ (1)
Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:
Mallard, R
,
Wilshaw, P
,
Mason, N
,
Walker, P
,
Booker, G
Ձևաչափ:
Journal article
Հրապարակվել է:
1989
Պահումներ
Նկարագրություն
Այլ տարբերակներ (1)
Նմանատիպ նյութեր
Աշխատակազմի տեսք
Նկարագրություն
Ամփոփում:
Նմանատիպ նյութեր
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
: Mallard, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1989)
GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
: Chidley, E, և այլն
Հրապարակվել է: (1989)
GASB GAINSB QUANTUM WELLS GROWN BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
: Haywood, S, և այլն
Հրապարակվել է: (1989)
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
: Warburton, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1991)
PHOTOLUMINESCENCE OF GASB GROWN BY METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
: Chidley, E, և այլն
Հրապարակվել է: (1991)