Skip to content
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
語言
全文檢索
題名
作者
主題
索引號
ISBN/ISSN
標簽
檢索
高級檢索
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED...
引用
發送短信
推薦此
打印
導出紀錄
導出到 RefWorks
導出到 EndNoteWeb
導出到 EndNote
Permanent link
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
Show other versions (1)
書目詳細資料
Main Authors:
Mallard, R
,
Wilshaw, P
,
Mason, N
,
Walker, P
,
Booker, G
格式:
Journal article
出版:
1989
持有資料
實物特徵
Other Versions (1)
相似書籍
職員瀏覽
實物特徵
總結:
相似書籍
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
由: Mallard, R, et al.
出版: (1989)
GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
由: Chidley, E, et al.
出版: (1989)
GASB GAINSB QUANTUM WELLS GROWN BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
由: Haywood, S, et al.
出版: (1989)
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
由: Warburton, R, et al.
出版: (1991)
PHOTOLUMINESCENCE OF GASB GROWN BY METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
由: Chidley, E, et al.
出版: (1991)