LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
Հիմնական հեղինակներ: | Mallard, R, Wilshaw, P, Mason, N, Walker, P, Booker, G |
---|---|
Ձևաչափ: | Journal article |
Հրապարակվել է: |
1989
|
Նմանատիպ նյութեր
-
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
: Mallard, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1989) -
GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
: Chidley, E, և այլն
Հրապարակվել է: (1989) -
GASB GAINSB QUANTUM WELLS GROWN BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
: Haywood, S, և այլն
Հրապարակվել է: (1989) -
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
: Warburton, R, և այլն
Հրապարակվել է: (1991) -
PHOTOLUMINESCENCE OF GASB GROWN BY METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
: Chidley, E, և այլն
Հրապարակվել է: (1991)