LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
Үндсэн зохиолчид: | Mallard, R, Wilshaw, P, Mason, N, Walker, P, Booker, G |
---|---|
Формат: | Journal article |
Хэвлэсэн: |
1989
|
Ижил төстэй зүйлс
Ижил төстэй зүйлс
-
LATTICE-RELAXATION OF STRAINED GASB GAAS EPITAXIAL LAYERS GROWN BY MOCVD
-н: Mallard, R, зэрэг
Хэвлэсэн: (1989) -
GAAS/GASB STRAINED-LAYER HETEROSTRUCTURES DEPOSITED BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
-н: Chidley, E, зэрэг
Хэвлэсэн: (1989) -
GASB GAINSB QUANTUM WELLS GROWN BY METALORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
-н: Haywood, S, зэрэг
Хэвлэсэн: (1989) -
PHOTOLUMINESCENCE AT HIGH-PRESSURES FROM HIGHLY STRAINED MOVPE GROWN GAAS/GASB/GAAS HETEROSTRUCTURES
-н: Warburton, R, зэрэг
Хэвлэсэн: (1991) -
PHOTOLUMINESCENCE OF GASB GROWN BY METAL-ORGANIC VAPOR-PHASE EPITAXY
-н: Chidley, E, зэрэг
Хэвлэсэн: (1991)